Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Страница 9

Несмотря на высокую эффективность очистки в органических растворителях, технология такого обезжиривания связана с определенными трудностями (многократная очистка, большой расход, высокая стоимость и токсичность большинства растворителей).

Исключительными особенностями обладает фреон, который не токсичен и обеспечивает высокую эффективность очистки.

Химическое обезжиривание основано на разрушении молекул жира растворителями, не воздействующими на материал пластины (подложки). Его отличительной особенностью является отсутствие вероятности повторного загрязнения пластин.

Для химического обезжиривания кремниевых пластин наиболее часто применяют горячий (75-80°С) перекисно-аммиачный раствор (водный раствор смеси пергидроля и щелочи ), который удаляет все жиры. Процесс обезжиривания сопровождается выделением атомарного кислорода в результате разложения пергидроля (этому способствует и наличие щелочи). Атомарный кислород окисляет как органические, так и неорганические загрязнения.

Для очистки, основанной на переводе омыляемых жиров в легко растворимые в воде мыла` (соли), применяют обработку поверхности в мыльных растворах. Этим способом удаляют растительные и животные жиры - загрязнения от остатков сложных эфиров глицерина и высокомолекулярных органических кислот. Химическое обезжиривание характеризуется низкими токсичностью и стоимостью.

4.2.2. Травление.

Процесс травления пластин и подложек состоит в растворении их поверхности при взаимодействии с соответствующими химическими реагентами (щелочами, кислотами, их смесями и солями). В результате удаляются приповерхностный слой и имеющиеся на поверхности загрязнения. Различают химическое и электрохимическое травление полупроводников.

4.2.2.1. Химическое травление пластин кремния происходит на границе твердой и жидкой сред, и его можно рассматривать как гетерогенную реакцию.

Процесс травления состоит из пяти стадий: диффузии реагента к поверхности; адсорбции реагента; поверхностной химической реакции; десорбции продуктов реакции; диффузии продуктов реакции от поверхности. Скорость всего процесса определяется скоростью наиболее медленной (контролирующей) стадии. При травлении кремния контролирующими стадиями могут быть либо диффузия реагента к поверхности, либо поверхностная химическая реакция, что определяется видом травителя и энергией активации стадий процесса.

* Травители, для которых контролирующей стадией является диффузия, называются полирующими.

Страницы: 5 6 7 8 9 10 11 12 13

ЦЕФЕЙ (лат . Cepheus), околополюсное созвездие Северного полушария, частично расположенное в Млечном Пути. В Цефее находится источник рентгеновского излучения Сер Х-1 - остаток сверхновой звезды. С территории России созвездие видно круглый год.

БЛОНДЫ (от франц . blonde - золотистая, рыжеватая, русая, белокурая), кружево из шелка-сырца золотистого цвета (при сохранении естественного цвета сырья), а также белого или черного цвета. В 18 в., ко времени широкого распространения кружева в России, блонды наряду с женщинами носили и мужчины в качестве жабо, манжет, галстуков, отделки рубашек.

БАСТИЛИЯ (Bastille) , крепость в Париже, построена в 1370-82; с 15 в. государственная тюрьма. Штурм Бастилии (14 июля 1789) восставшим народом явился началом Великой французской революции (отмечается с 1880 как национальный праздник Франции). В 1790 Бастилия была срыта.