Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластинСтраница 6
Типичные загрязнения
полупроводниковых пластин и их источники
Таблица 1.
| Загрязнения | Возможные источники |
|
Волокна (нейлон, целлюлоза и т. д.) |
Одежда, ткани, бумажные изделия |
|
Силикаты |
Горные породы, песок, почва, зола, пепел |
|
Окислы и окалина |
Продукты окисления некоторых металлов |
|
Масла и жиры |
Масла от машинной обработки, отпечатки пальцев, жиры с открытых участков тела, средства для волос, мази, лосьоны |
|
Силиконы |
Аэрозоли для волос, кремы, лосьоны после бритья, лосьоны для рук, мыло |
|
Металлы |
Порошки и отходы машинной обработки и шлифовки; изготовление металлических частей; частицы из металлических банок для хранения и металлических контейнеров |
|
Ионные примеси |
Продукты дыхания, отпечатки пальцев (хлорид натрия); примеси из очищающих растворов, содержащие ионные детергенты; некоторые флюсы; примеси от предварительной химической операции, такой, как травление или металлизация |
|
Неионные примеси |
Неионные детергенты, органические материалы для обработки |
|
Растворимые примеси |
Очищающие растворители и растворы |
НОБЕЛЕВСКИЕ ПРЕМИИ ПО ХИМИИ , см. также ст. Нобелевские премии.
ТРАВЛЕНИЕ , химическое или электрохимическое растворение поверхности твердых материалов с практической целью. Различают травление технологическое (удаление окалины, изготовление интегральных схем и печатных плат, углубление пробельных участков типографских клише, повышение гидрофильности пробельных элементов форм плоской печати и т. д.) и структурное (выявление особенностей макро- и микроструктуры кристаллических материалов, диагностика рудных минералов, выявление дефектов рудных минералов, дефектов в кристаллах и т. д.).
ШОТТКИ ДИОД , полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании свойств контакта металл - полупроводник; названного по имени немецкого физика В. Шоттки (W. Schottky; 1886-1976), создавшего в 1938-39 основы теории таких диодов. Применяется для преобразования электрических сигналов на частотах до 50 ГГц и как сверхбыстродействующий переключатель.