Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластинСтраница 6
Типичные загрязнения
полупроводниковых пластин и их источники
Таблица 1.
| Загрязнения | Возможные источники |
|
Волокна (нейлон, целлюлоза и т. д.) |
Одежда, ткани, бумажные изделия |
|
Силикаты |
Горные породы, песок, почва, зола, пепел |
|
Окислы и окалина |
Продукты окисления некоторых металлов |
|
Масла и жиры |
Масла от машинной обработки, отпечатки пальцев, жиры с открытых участков тела, средства для волос, мази, лосьоны |
|
Силиконы |
Аэрозоли для волос, кремы, лосьоны после бритья, лосьоны для рук, мыло |
|
Металлы |
Порошки и отходы машинной обработки и шлифовки; изготовление металлических частей; частицы из металлических банок для хранения и металлических контейнеров |
|
Ионные примеси |
Продукты дыхания, отпечатки пальцев (хлорид натрия); примеси из очищающих растворов, содержащие ионные детергенты; некоторые флюсы; примеси от предварительной химической операции, такой, как травление или металлизация |
|
Неионные примеси |
Неионные детергенты, органические материалы для обработки |
|
Растворимые примеси |
Очищающие растворители и растворы |
ТИССЕРАН (Тisserand) Франсуа (1845-96) , французский астроном, иностранный член-корреспондент Петербургской АН (1883). Труды по теории движения комет, проблеме устойчивости Солнечной системы и др. Автор капитального 4-томного руководства по небесной механике (1889-96).
ХОРЕЗМШАХ , титул правителя Хорезма (951-1220).
УРАНОВЫЕ РУДЫ . Главные минералы: уранинит (главным образом урановая смолка и урановая чернь), урановые слюдки. Различают первичные, окисленные и смешанные урановые руды. Супербогатые руды содержат св. 0,3% U, богатые 0,1-0,3%, рядовые 0,05-0,1%, убогие 0,03-0,05%. Мировые запасы ок. 2,3 млн. т (1990). Главные добывающие страны: Канада, ЮАР, США, Намибия, Нигер, Франция.