Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Страница 6

Типичные загрязнения

полупроводниковых пластин и их источники

Таблица 1.

Загрязнения

Возможные источники

Волокна (нейлон, целлюлоза и т. д.)

Одежда, ткани, бумажные изделия

Силикаты

Горные породы, песок, почва, зола, пепел

Окислы и окалина

Продукты окисления некоторых металлов

Масла и жиры

Масла от машинной обработки, отпечатки пальцев, жиры с открытых участков тела, средства для волос, мази, лосьоны

Силиконы

Аэрозоли для волос, кремы, лосьоны после бритья, лосьоны для рук, мыло

Металлы

Порошки и отходы машинной обработки и шлифовки; изготовление металлических частей; частицы из металлических банок для хранения и металлических контейнеров

Ионные примеси

Продукты дыхания, отпечатки пальцев (хлорид на­трия); примеси из очищающих растворов, содержащие ионные детергенты; некоторые флюсы; примеси от предварительной химической операции, такой, как травление или металлизация

Неионные примеси

Неионные детергенты, органические материалы для обработки

Растворимые примеси

Очищающие растворители и растворы

Страницы: 2 3 4 5 6 7 8 9 10

БЕЛЫЙ КАМЕНЬ , название г. Пайде в Эстонии в русских летописях.

ГАРДА (франц . garde, основное значение - охрана), часть эфеса клинкового холодного оружия, служащая для защиты от удара кисти руки.

НУКЛИД , общее название атомных ядер (и атомов), характеризующихся числом протонов в ядре Z, числом нейтронов N и общим числом нуклонов A = Z + N, которое называется массовым числом. Обозначается химическим символом Н с индексами . Радиоактивные ядра и атомы называются радионуклидами.