Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Страница 10

Скорость травления в полирующих травителях определяется скоростью диффузии реагента и зависит от градиента его концентрации:

(1)

где D - коэффициент диффузии реагента, зависящий от природы и энергии активации молекул реагента; и - концентрация реагента в объеме и на поверхности; - толщина приповерхностного слоя травителя, в котором существует градиент концентрации.

При этом скорость травления нечувствительна к физическим и химическим неоднородностям поверхности, слабо зависит от температуры. Вследствие более высокого градиента концентрации выступы на поверхности травятся быстрее впадин. Поэтому полирующие травители хорошо сглаживают шероховатости, выравнивая микрорельеф. Типичными полирующими травителями для кремниевых пластин являются смеси азотной и фтористоводородной (плавиковой) кислот.

Существуют две теории саморастворения кремния в травителях: химическая и электрохимическая. Согласно химической теории поверхностные химические реакции при полирующем травлении протекают в два этапа: окисление поверхностного слоя и перевод оксида в растворимую соль. Роль окислителя выполняет азотная кислота:

(2)

Фтористо-водородная кислота является комплексообразователем, который переводит оксид кремния в тетрафторид:

(3)

В соответствии с электрохимической теорией взаимодействие между полупроводником и травителем обусловлено тем, что на поверхности пластины при погружении ее в травитель существуют анодные и катодные микроучастки, между которыми возникают локальные токи.

На анодных участках происходит окисление кремния с последующим растворением оксида и образованием кремний-фтористоводородной кислоты, на катодных - восстановление окислителя (азотной кислоты). В процессе травления микроаноды и микрокатоды непрерывно меняются местами.

Результирующее уравнение реакции при этом имеет вид:

(4)

Страницы: 6 7 8 9 10 11 12 13 14

РАЗИН Фрол Тимофеевич (?-1676) , соратник и брат С. Т. Разина. В 1670 участник походов к Астрахани и Царицыну. Командовал повстанческими отрядами на Верхнем Дону. В 1671 пленен. Обещая раскрыть важную государственную тайну, добился отсрочки казни.

БУХАРЕСТ (Bucuresti) , столица Румынии, на Нижнедунайской низм., в 45 км от Дуная. Самостоятельная административная единица. 2,1 млн. жителей (1992). Транспортный узел. Международный аэропорт. Крупный промышленный центр: машиностроение и металлообработка, текстильная, кожевенно-обувная, химическая, швейная, пищевая, стекольная, фарфорофаянсовая, полиграфическая промышленность, цветная и черная металлургия, деревообработка. Метрополитен. АН Румынии и отраслевые академии, университет и другие вузы; музеи, театры, концертный зал Атенеум (19 в.). Под современным названием известен с 14 в. С 1659 столица Валахии, с 1861 - Румынии. Монастыри и церкви 16-18 вв. (Михай-Водэ. Патриаршая, Крецулеску). Дворец Республики (20 в.).

ШИМОНОВИЧ (Шимоновиц) (Szymonowicz; Szуmonovic) Шимон (1558-1629) , польский поэт. Писал на польском и латинском языках. Панегирики, драмы, оды, эпиталамы; в цикле идиллий "Селянки" (1614) национальный колорит, картины крестьянской жизни.