Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластинСтраница 10
Скорость травления
в полирующих травителях определяется скоростью диффузии реагента
и зависит от градиента его концентрации:
(1)
где D - коэффициент диффузии реагента, зависящий от природы и энергии активации молекул реагента;
и
- концентрация реагента в объеме и на поверхности;
- толщина приповерхностного слоя травителя, в котором существует градиент концентрации.
При этом скорость травления нечувствительна к физическим и химическим неоднородностям поверхности, слабо зависит от температуры. Вследствие более высокого градиента концентрации выступы на поверхности травятся быстрее впадин. Поэтому полирующие травители хорошо сглаживают шероховатости, выравнивая микрорельеф. Типичными полирующими травителями для кремниевых пластин являются смеси азотной и фтористоводородной (плавиковой) кислот.
Существуют две теории саморастворения кремния в травителях: химическая и электрохимическая. Согласно химической теории поверхностные химические реакции при полирующем травлении протекают в два этапа: окисление поверхностного слоя и перевод оксида в растворимую соль. Роль окислителя выполняет азотная кислота:
(2)
Фтористо-водородная кислота является комплексообразователем, который переводит оксид кремния в тетрафторид:
(3)
В соответствии с электрохимической теорией взаимодействие между полупроводником и травителем обусловлено тем, что на поверхности пластины при погружении ее в травитель существуют анодные и катодные микроучастки, между которыми возникают локальные токи.
На анодных участках происходит окисление кремния с последующим растворением оксида и образованием кремний-фтористоводородной кислоты, на катодных - восстановление окислителя (азотной кислоты). В процессе травления микроаноды и микрокатоды непрерывно меняются местами.
Результирующее уравнение реакции при этом имеет вид:
(4)
ЛЕГКИЙ БЕТОН , общее название бетонов с объемной массой не более 1800 кг/м3. Получают, используя пористые (легкие) заполнители, гравий или щебень без мелкого заполнителя (т. н. крупнопористый бетон) либо поризуя (вспенивая) цементное тесто (ячеистый бетон). Наиболее распространены легкий бетон на пористых заполнителях: керамзитобетоны, шлакобетоны, аглопористые бетоны, вермикулитобетоны, тефобетоны, пемзобетоны, перлитобетоны и др. Благодаря небольшой объемной массе, малой теплопроводности и достаточной прочности легкий бетон широко применяются в сборных бетонных и железобетонных конструкциях и изделиях. Особо легкий бетон (объемная масса до 500 кг/м3) - хороший теплоизоляционый материал.
ЦЕЛЬСИЙ (Celsius) Андерс (1701-44) , шведский астроном и физик. Участник Лапландской экспедиции по измерению дуги меридиана (1736-37). Предложил (1742) температурную шкалу (шкала Цельсия).
ХЛУДОВ Николай Гаврилович (1850-1935) , живописец, учитель многих художников Казахстана; картины из жизни и быта казахского народа ("Джасаул", или "Гонец", 1916).