Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Страница 10

Скорость травления в полирующих травителях определяется скоростью диффузии реагента и зависит от градиента его концентрации:

(1)

где D - коэффициент диффузии реагента, зависящий от природы и энергии активации молекул реагента; и - концентрация реагента в объеме и на поверхности; - толщина приповерхностного слоя травителя, в котором существует градиент концентрации.

При этом скорость травления нечувствительна к физическим и химическим неоднородностям поверхности, слабо зависит от температуры. Вследствие более высокого градиента концентрации выступы на поверхности травятся быстрее впадин. Поэтому полирующие травители хорошо сглаживают шероховатости, выравнивая микрорельеф. Типичными полирующими травителями для кремниевых пластин являются смеси азотной и фтористоводородной (плавиковой) кислот.

Существуют две теории саморастворения кремния в травителях: химическая и электрохимическая. Согласно химической теории поверхностные химические реакции при полирующем травлении протекают в два этапа: окисление поверхностного слоя и перевод оксида в растворимую соль. Роль окислителя выполняет азотная кислота:

(2)

Фтористо-водородная кислота является комплексообразователем, который переводит оксид кремния в тетрафторид:

(3)

В соответствии с электрохимической теорией взаимодействие между полупроводником и травителем обусловлено тем, что на поверхности пластины при погружении ее в травитель существуют анодные и катодные микроучастки, между которыми возникают локальные токи.

На анодных участках происходит окисление кремния с последующим растворением оксида и образованием кремний-фтористоводородной кислоты, на катодных - восстановление окислителя (азотной кислоты). В процессе травления микроаноды и микрокатоды непрерывно меняются местами.

Результирующее уравнение реакции при этом имеет вид:

(4)

Страницы: 6 7 8 9 10 11 12 13 14

ЧЕРАНОВСКИЙ Борис Иванович (1896-1960) , авиаконструктор. Автор оригинальных проектов планеров и самолетов типа "летающее крыло" с центральным вертикальным оперением и др.

ЗЕМНОЙ КОРЫ ИНСТИТУТ (ИЗК) Сибирского отделения РАН , организован в 1957 в Иркутске. Исследования строения земной коры и процессов в глубинных зонах, а также закономерностей формирования полезных ископаемых.

ХРИСТОС (Иисус Христос) (4 до н . э. ? - ок. 30 н. э.), согласно христианскому вероучению, Богочеловек, в котором соединены Божественная (как Бог-сын он второе лицо Троицы) и человеческая (рожден от Девы Марии) природы, добровольно принявший страдания и смерть на кресте ради искупления первородного греха, совершенного Адамом и Евой в акте грехопадения. Отсюда эпитеты и имена Иисуса: Христос (греч. Christos, букв. - помазанник, т. е. Мессия), Спаситель (Спас), Искупитель (Заступник), Сын человеческий, Сын Божий и др. Проповедуя свое учение, Христос призвал первых учеников, творил чудеса (воскрешение мертвых, хождение по воде, насыщение тысяч людей пятью хлебами, исцеление душевнобольных и др.). Перед Пасхой Христос торжественно въехал на ослике в Иерусалим, приветствуемый толпой как мессианский царь. Иудейские старейшины решили выдать его на казнь римским властям. Христос в кругу апостолов справлял обряд пасхального ужина (Тайная вечеря). Схваченный помощниками старейшин по знаку Иуды Искариота ("поцелуй Иуды"), Христос был отведен на суд Синедриона, который вынес ему смертный приговор, подтвержденный затем римским прокуратором Понтием Пилатом. После смерти и последовавшего воскресения Христос в течение 40 дней вел беседы с учениками и затем вознесся на небо. С именем Христа связано возникновение новой религии - христианства. Некоторые исследователи, особенно в 19 в., отрицали само его существование. Большинство современных ученых признают историчность Христа.