Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластинСтраница 7
Наиболее трудно удаляются органические и химически связанные с поверхностью загрязнения, а также загрязнения от абразивных материалов, полярные газы и ионы, внедренные в приповерхностный слой пластин.
4. Методы удаления загрязнений.
4.1. Классификация методов очистки пластин и подложек.
Для удаления загрязнений используют различные методы, на физических принципах которых разрабатывают процессы очистки. По механизму протекания процессов все методы очистки классифицируют на физические и химические, а по применяемым средствам - на жидкостные и сухие (рис.2).
В основу каждого способа очистки положен один из трех методов удаления загрязнений с поверхности:
· механическое удаление частиц загрязнителя потоком жидкости или газа;
· растворение в воде;
· химическая реакция.
Рис. 2.
Классификация методов очистки пластин и подложек
К физическим методам удаления загрязнений относят растворение, отжиг, обработку поверхности ускоренными до больших энергий ионами инертных газов. Эти методы используют в основном для удаления загрязнений, расположенных на поверхности. Для удаления загрязнений на поверхности и в приповерхностном слое, в том числе тех, которые находятся в химической связи с материалом пластины или подложки, используют химические методы удаления. Они основаны на переводе путем химической реакции загрязнений в новые соединения, которые затем легко удаляются (травление, обезжиривание).
* Очистка, при которой удаляется приповерхностный слой пластины или подложки, называется травлением.
ЧЕНДЛЕР (Chandler) Сет Карло (1846-1913) , американский астроном. Труды по исследованию изменения широт и движению полюсов Земли. Нашел, что в изменениях широт имеются 2 периода, один из которых назван его именем.
КОРЕЛИН Михаил Сергеевич (1855-99) , российский историк. Основные труды по итальянскому Возрождению.
ФАНТАСТРОН , импульсный генератор, вырабатывающий электрические колебания пилообразной формы с очень малым коэффициентом нелинейности. Возбуждается по сигналу извне. Модификация фантастрона - санатрон.