Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластинСтраница 13
Наиболее распространенными и эффективными способами жидкостной обработки в промышленных условиях являются ультразвуковая очистка в растворителях, химико-динамическое травление, анодно-механическое травление.
При ультразвуковой очистке (рис. 3) пластины 1 помещают в ванну с водой (эмульсией) 2, на которую передаются вибрации через вибратор 3 от генератора 4. Механические вибрации способствуют перемешиванию растворителя и тем самым ускоряют процесс.
Рис. 3
Принцип химико-динамического травления заключается в интенсивном перемешивании травителя непосредственно над поверхностью пластин (рис.4). При вращении приводом 1 фторопластового барабана 2 травитель 3 омывает пластины 4, закрепленные на специальном диске 5, чем достигается хорошее перемешивание травителя и равномерное травление.
Рис. 4
В основу анодно-механического травления положено электрохимическое травление, сопровождаемое механическим воздействием (рис. 5). Электролит 2 подается на освещенные мощной лампой 1 (для генерации дырок) пластины 3, которые предварительно закрепляются на аноде 4, и соприкасаются с вращающимся катодным диском 5, содержащим радиальные канавки. При этом скорость электрополировки достигает 400нм/с.
Рис. 5
Особый интерес с точки зрения производительности и качества очистки представляет способ, основанный на возникновении кавитации в пограничном слое очищаемой поверхности. Условия кавитации создают механическим путем (центрифугированием), а в качестве растворителя используют дистиллированную воду с растворенным кислородом.
Способы жидкостной очистки используют на различных стадиях изготовления ИМС.
4.3. Способы сухой очистки пластин и подложек.
Наряду с жидкостной обработкой в технологию изготовления ИМС в последнее время интенсивно внедряются различные способы сухой очистки. Наряду с традиционными термообработкой (отжигом) и газовым травлением успешно используют ионное и |плазмохимическое травление.
4.3.1. Термообработка.
Сущность термообработки состоит в нагреве пластины или подложки до температуры, при которой происходят удаление адсорбированных поверхностью загрязнений, разложение поверхностных загрязнений и испарение летучих соединений.
Отжиг осуществляют в вакуумных или термических установках непосредственно перед проведением основных операций формирования полупроводниковых или пленочных структур.
ЯДРА КОНДЕНСАЦИИ , жидкие или твердые частички, взвешенные в атмосфере, на которых начинается конденсация водяного пара и образуются капельки облаков и туманов.
ЦЕНЗУРА (лат . censura), система государственного надзора за печатью и средствами массовой информации. В Западной Европе возникла в 15 в., в России - в нач. 18 в. По формам контроля подразделялась на предварительную и карательную. С 1804 регулировалась цензурными уставами и временными правилами. Делилась на общую (внутреннюю и иностранную) и ведомственную (духовная, военная, театральная и др.). В 1865 на основе "Временных правил о печати" проведена цензурная реформа, по которой вводилась карательная цензура вместо предварительной для ряда столичных изданий (в 1872 была урезана в связи с возобновлением преследования печати в административном порядке). В СССР с 1922 цензура осуществлялась Главлитом. По Российскому закону "О средствах массовой информации" (1992) цензура массовой информации не допускается.
ЯСЛИ-САД детские , см. Детские ясли-сад.