Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластинСтраница 11
Следует отметить, что очистке поверхности полупроводниковых пластин путем их обработки в полирующих травителях предшествует обязательное обезжиривание поверхности.
Для ряда травителей энергия активации химической реакции на порядок и более превышает энергию активации, определяющую скорость диффузии реагента. В этом случае скорость травления определяется скоростью химической реакции
:
(5)
где и
- концентрации реагирующих веществ; R - универсальная газовая постоянная; а и b - показатели, численно равные коэффициентам в уравнении химической реакции.
Поскольку энергия активации химической реакции зависит от неоднородности поверхности, скорость травления чувствительна к состоянию поверхности. Так как различные кристаллографические плоскости структуры кремния имеют разное значение , то скорость травления зависит от ориентации пластин, а также от температуры.
* Травители, для которых контролирующей стадией является химическая реакция, называются селективными.
В качестве селективных травителей пластин кремния используют водные растворы щелочей (например, NaOH, КОН) и гидразин гидрат '.
Для селективных травителей характерная разница скоростей травления в различных кристаллографических направлениях достигает одного порядка и более. Так, для щелочных травителей изменение скорости травления соответствует схеме (100) >(110)> (111).
Травление с большой разницей скоростей травления в различных кристаллографических направлениях называют анизотропным.
ЕВСЕВИЙ Синайский (5 в .), христианский монах, подвизался в Синайской пустыне. Убит во время нашествия арабов. Память в Православной церкви 14 (27) января.
ЦИНХОНА , то же, что хинное дерево.
РОШАЛЬ , город (с 1940) в Российской Федерации, Московская обл., на р. Воймега, в 17 км от ж.-д. ст. Черусти. 24 тыс. жителей (1993). Химический комбинат. Назван по имени участника Октябрьской революции С. Г. Рошаля (1896-1917).