Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластинСтраница 11
Следует отметить, что очистке поверхности полупроводниковых пластин путем их обработки в полирующих травителях предшествует обязательное обезжиривание поверхности.
Для ряда травителей энергия активации химической реакции
на порядок и более превышает энергию активации, определяющую скорость диффузии реагента. В этом случае скорость травления определяется скоростью химической реакции
:
(5)
где
и
- концентрации реагирующих веществ; R - универсальная газовая постоянная; а и b - показатели, численно равные коэффициентам в уравнении химической реакции.
Поскольку энергия активации химической реакции зависит от неоднородности поверхности, скорость травления чувствительна к состоянию поверхности. Так как различные кристаллографические плоскости структуры кремния имеют разное значение
, то скорость травления зависит от ориентации пластин, а также от температуры.
* Травители, для которых контролирующей стадией является химическая реакция, называются селективными.
В качестве селективных травителей пластин кремния используют водные растворы щелочей (например, NaOH, КОН) и гидразин гидрат '
.
Для селективных травителей характерная разница скоростей травления в различных кристаллографических направлениях достигает одного порядка и более. Так, для щелочных травителей изменение скорости травления соответствует схеме (100) >(110)> (111).
Травление с большой разницей скоростей травления в различных кристаллографических направлениях называют анизотропным.
ФЛАВИАН I (ум . 404), святой, епископ Антиохийский с 381. Учитель Иоанна Златоуста и Феодора Мопсуестийского. Память в Православной церкви 16 февраля (1 марта) и 27 сентября (10 октября).
НИКРИТИН Соломон Борисович (1898-1965) , российский художник, один из наиболее самобытных мастеров русского художественного авангарда 1920-х гг. Инициатор проекционизма. Его живописный и графический стиль эволюционировал от футуризма с сюрреалистическими чертами к более традиционной, романтической манере. В 1936-41 был главным художником ВДНХ.
ГАЗЫ ПРИРОДНЫЕ ГОРЮЧИЕ , смеси углеводородов метанового ряда и неуглеводородных компонентов, встречающиеся в осадочном чехле земной коры в виде свободных скоплений, а также в растворенном (в нефти и пластовых водах), рассеянном (сорбированные породами) и твердом (в газогидратных залежах) состояниях. В газах природных горючих основной компонент - метан (до 98%), входят также этан, пропан, бутан, изобутан и пентан. Теплота сгорания 32,7 МДж/м3 и выше. Мировые запасы св. 113 трлн. м3 (1992).