Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластинСтраница 12
Селективное травление используют для локальной обработки полупроводниковых пластин, в том числе для создания изолирующих областей при изготовлении ИМС.
4.2.2.2. Электрохимическое травление основано на химических превращениях, которые происходят при электролизе.
Для этого полупроводниковую пластину (анод) и металлический электрод (катод) помещают в электролит, через который пропускают электрический ток. Процесс является окислительно-восстановительной реакцией, состоящей из анодного окисления (растворения) и катодного восстановления.
Кинетика анодного растворения определяется концентрацией дырок, генерируемых на поверхности полупроводниковой пластины.
Электрохимическое травление кремниевых пластин производят в растворах, содержащих плавиковую кислоту, при возрастающей плотности тока. При этом вначале происходит образование на поверхности пластины слоя оксида кремния, в состав которого входит фтористокремниевый комплекс
, окисляющийся в водных растворах с выделением водорода согласно реакции:
(6)
(7)
Затем происходит анодное растворение кремния в плавиковой кислоте:
(8)
Такой процесс называют также электрополировкой.
Электрохимическое травление применяют как для очистки поверхности пластин, так и для их локальной обработки.
4.2.3. Промывание пластин и подложек.
На различных этапах изготовления ИМС производят неоднократно промывание пластин и подложек. Для промывания применяют дистиллированную, бидистиллированную и деионизованную воду.
Промывание обязательно производится после обезжиривания и травления. Его назначение - удаление остатков загрязнений, продуктов реакции и остатков реагентов.
4.2.4. Интенсификация процессов очистки.
Для ускорения наименее медленных стадий процессов очистки с целью повышения качества очистки и производительности процессов используют различные способы их интенсификации, которые достигаются применением физических, химических и комбинированных средств.
К физическим средствам относятся нагрев, кипячение, вибрация, обработка струёй, гидроциркуляцией, протоком, гидромеханическая обработка, центрифугирование, ультразвуковая обработка, плазма.
К химическим средствам относятся поверхностно-активные вещества, комплексообразователи, катализаторы. Комбинированные средства основаны на использовании физических и химических средств.
Применение тех или иных средств позволило разработать наиболее эффективные способы обезжиривания, травления, промывания и создать необходимое для их осуществления оборудование.
НАИБОЛЬШИЙ ОБЩИЙ ДЕЛИТЕЛЬ , наибольшее из целых положительных чисел, на которое делится без остатка каждое из данных целых чисел. Напр., наибольший общий делитель 60, 84 и 96 есть 12.
ИСЛАНДСКИЙ ЯЗЫК , официальный язык Исландии, относится к скандинавским языкам, входящим в германскую группу индоевропейской семьи языков. Письменность на основе латинского алфавита.
ЦИНКОГРАФИЯ (от цинк и ...графия),..1) способ изготовления клише. Негатив воспроизводимого оригинала копируют на металлическую (цинковую, магниевую и др.) пластину, которую затем подвергают травлению для получения рельефных печатающих элементов...2) Название цеха (отделения, участка) типографии, где изготовляются клише способом цинкографии.