Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластинСтраница 12
Селективное травление используют для локальной обработки полупроводниковых пластин, в том числе для создания изолирующих областей при изготовлении ИМС.
4.2.2.2. Электрохимическое травление основано на химических превращениях, которые происходят при электролизе.
Для этого полупроводниковую пластину (анод) и металлический электрод (катод) помещают в электролит, через который пропускают электрический ток. Процесс является окислительно-восстановительной реакцией, состоящей из анодного окисления (растворения) и катодного восстановления.
Кинетика анодного растворения определяется концентрацией дырок, генерируемых на поверхности полупроводниковой пластины.
Электрохимическое травление кремниевых пластин производят в растворах, содержащих плавиковую кислоту, при возрастающей плотности тока. При этом вначале происходит образование на поверхности пластины слоя оксида кремния, в состав которого входит фтористокремниевый комплекс
, окисляющийся в водных растворах с выделением водорода согласно реакции:
(6)
(7)
Затем происходит анодное растворение кремния в плавиковой кислоте:
(8)
Такой процесс называют также электрополировкой.
Электрохимическое травление применяют как для очистки поверхности пластин, так и для их локальной обработки.
4.2.3. Промывание пластин и подложек.
На различных этапах изготовления ИМС производят неоднократно промывание пластин и подложек. Для промывания применяют дистиллированную, бидистиллированную и деионизованную воду.
Промывание обязательно производится после обезжиривания и травления. Его назначение - удаление остатков загрязнений, продуктов реакции и остатков реагентов.
4.2.4. Интенсификация процессов очистки.
Для ускорения наименее медленных стадий процессов очистки с целью повышения качества очистки и производительности процессов используют различные способы их интенсификации, которые достигаются применением физических, химических и комбинированных средств.
К физическим средствам относятся нагрев, кипячение, вибрация, обработка струёй, гидроциркуляцией, протоком, гидромеханическая обработка, центрифугирование, ультразвуковая обработка, плазма.
К химическим средствам относятся поверхностно-активные вещества, комплексообразователи, катализаторы. Комбинированные средства основаны на использовании физических и химических средств.
Применение тех или иных средств позволило разработать наиболее эффективные способы обезжиривания, травления, промывания и создать необходимое для их осуществления оборудование.
"ЮНОСТЬ" (радиостанция "Юность") , молодежный канал Российской телерадиокомпании "Останкино" (публицистические, художественные, музыкальные и др. передачи). Создана в 1962.
ТАТСКИЙ ЯЗЫК , язык татов, относится к иранской группе индоевропейской семьи языков. Распадается на 2 диалекта: северный и южный. Северный диалект является одним из литературных языков Дагестана. Письменность на основе русского алфавита.
ИНДО-ГАНГСКАЯ РАВНИНА в Индии , Пакистане и Бангладеш, к югу от Гималаев. Длина ок. 3 тыс. км, ширина до 350 км. Сложена главным образом аллювием. Климат муссонный. Большая часть равнины распахана. Естественная растительность: на востоке - мангровые леса, в центральной части - листопадные леса и саванны, на западе - солончаки и пустыни. Крупные города: Дели, Калькутта, Лахор, Карачи, Дакка.