Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластинСтраница 12
Селективное травление используют для локальной обработки полупроводниковых пластин, в том числе для создания изолирующих областей при изготовлении ИМС.
4.2.2.2. Электрохимическое травление основано на химических превращениях, которые происходят при электролизе.
Для этого полупроводниковую пластину (анод) и металлический электрод (катод) помещают в электролит, через который пропускают электрический ток. Процесс является окислительно-восстановительной реакцией, состоящей из анодного окисления (растворения) и катодного восстановления.
Кинетика анодного растворения определяется концентрацией дырок, генерируемых на поверхности полупроводниковой пластины.
Электрохимическое травление кремниевых пластин производят в растворах, содержащих плавиковую кислоту, при возрастающей плотности тока. При этом вначале происходит образование на поверхности пластины слоя оксида кремния, в состав которого входит фтористокремниевый комплекс
, окисляющийся в водных растворах с выделением водорода согласно реакции:
(6)
(7)
Затем происходит анодное растворение кремния в плавиковой кислоте:
(8)
Такой процесс называют также электрополировкой.
Электрохимическое травление применяют как для очистки поверхности пластин, так и для их локальной обработки.
4.2.3. Промывание пластин и подложек.
На различных этапах изготовления ИМС производят неоднократно промывание пластин и подложек. Для промывания применяют дистиллированную, бидистиллированную и деионизованную воду.
Промывание обязательно производится после обезжиривания и травления. Его назначение - удаление остатков загрязнений, продуктов реакции и остатков реагентов.
4.2.4. Интенсификация процессов очистки.
Для ускорения наименее медленных стадий процессов очистки с целью повышения качества очистки и производительности процессов используют различные способы их интенсификации, которые достигаются применением физических, химических и комбинированных средств.
К физическим средствам относятся нагрев, кипячение, вибрация, обработка струёй, гидроциркуляцией, протоком, гидромеханическая обработка, центрифугирование, ультразвуковая обработка, плазма.
К химическим средствам относятся поверхностно-активные вещества, комплексообразователи, катализаторы. Комбинированные средства основаны на использовании физических и химических средств.
Применение тех или иных средств позволило разработать наиболее эффективные способы обезжиривания, травления, промывания и создать необходимое для их осуществления оборудование.
ХАМИЙСКАЯ КОТЛОВИНА , к югу от Вост. Тянь-Шаня, в Китае. Длина ок. 300 км, ширина до 100 км. Наименьшая высота 81 м. Песчаная пустыня с т. н. эоловыми городами и отдельными оазисами. В Хамийской котловине - г. Хами.
БАКИНСКИЕ КОМИССАРЫ , 26 деятелей Бакинской коммуны 1918. Председатель Бакинского Совета Народных Комиссаров С. Г. Шаумян, наркомы М. А. Азизбеков, П. А. Джапаридзе, И. Т. Фиолетов, Г. Н. Корганов, Я. Д. Зевин, М. Г. Везиров, а также И. В. Малыгин, Г. К. Петров, А. М. Амирян, В. Ф. Полухин, И. Я. Габышев, С. Г. Осепян, Э. А. Берг, Б. А. Авакян, А. А. Борян, М. В. Басин, М. Р. Коганов, А. М. Констандян, А. А. Богданов, С. А. Богданов, Ф. Ф. Солнцев, И. А. Мишне, И. П. Метакса, И. М. Николайшвили, Т. М. Амиров арестованы правительством "Диктатуры Центрокаспия" и расстреляны 20.9.1918 в Закаспии.
ГАУЯ (Gauja) , река в Латвии. 460 км, площадь бассейна 8,9 тыс. км2. Средний расход воды 78 м3/с. Впадает в Рижский зал. На Гауйе - города Стренчи, Валмиера, Цесис, Сигулда.