Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластинСтраница 12
Селективное травление используют для локальной обработки полупроводниковых пластин, в том числе для создания изолирующих областей при изготовлении ИМС.
4.2.2.2. Электрохимическое травление основано на химических превращениях, которые происходят при электролизе.
Для этого полупроводниковую пластину (анод) и металлический электрод (катод) помещают в электролит, через который пропускают электрический ток. Процесс является окислительно-восстановительной реакцией, состоящей из анодного окисления (растворения) и катодного восстановления.
Кинетика анодного растворения определяется концентрацией дырок, генерируемых на поверхности полупроводниковой пластины.
Электрохимическое травление кремниевых пластин производят в растворах, содержащих плавиковую кислоту, при возрастающей плотности тока. При этом вначале происходит образование на поверхности пластины слоя оксида кремния, в состав которого входит фтористокремниевый комплекс , окисляющийся в водных растворах с выделением водорода согласно реакции:
(6)
(7)
Затем происходит анодное растворение кремния в плавиковой кислоте:
(8)
Такой процесс называют также электрополировкой.
Электрохимическое травление применяют как для очистки поверхности пластин, так и для их локальной обработки.
4.2.3. Промывание пластин и подложек.
На различных этапах изготовления ИМС производят неоднократно промывание пластин и подложек. Для промывания применяют дистиллированную, бидистиллированную и деионизованную воду.
Промывание обязательно производится после обезжиривания и травления. Его назначение - удаление остатков загрязнений, продуктов реакции и остатков реагентов.
4.2.4. Интенсификация процессов очистки.
Для ускорения наименее медленных стадий процессов очистки с целью повышения качества очистки и производительности процессов используют различные способы их интенсификации, которые достигаются применением физических, химических и комбинированных средств.
К физическим средствам относятся нагрев, кипячение, вибрация, обработка струёй, гидроциркуляцией, протоком, гидромеханическая обработка, центрифугирование, ультразвуковая обработка, плазма.
К химическим средствам относятся поверхностно-активные вещества, комплексообразователи, катализаторы. Комбинированные средства основаны на использовании физических и химических средств.
Применение тех или иных средств позволило разработать наиболее эффективные способы обезжиривания, травления, промывания и создать необходимое для их осуществления оборудование.
ФАЙЮМСКИЕ ПОСЕЛЕНИЯ , стоянки эпохи неолита (5-е тыс. до н. э.) в районе оазиса Эль-Файюм в Египте. Остатки углубленных в землю жилищ, зерновые ямы, каменные и костяные орудия, керамика. Занятие населения - сельское хозяйство.
ИНДУСТРИАЛИЗАЦИЯ , процесс создания крупного машинного производства и на этой основе переход от аграрного к индустриальному обществу. Источниками средств для индустриализации могут быть как внутренние ресурсы, так и кредиты, инвестиции капиталов из более развитых стран. Сроки и темпы в различных странах неодинаковы (напр., Великобритания превратилась в индустриальную в сер. 19 в., а Франция - в нач. 20-х гг. 20 в.). В России индустриализация успешно развивалась с кон. 19 - нач. 20 вв. После Октябрьской революции (с кон. 20-х гг.) индустриализация форсированно осуществлялась тоталитарным режимом насильственными методами за счет резкого ограничения уровня жизни большинства населения, эксплуатации крестьянства.
ХЭЙЛУНЦЗЯН , провинция в Северо-Вост. Китае. 469 тыс. км2. Население 36 млн. человек (1992). Адм. ц. - Харбин.