ChemStudy

Для обеспечения эффективной очистки с целью получения технологически чистой поверхности пластин (подложек) необходимо знать источник и вид загрязнения, характер его поведения на поверхности, методы удаления.

3.2. Источники загрязнений.

Основными источниками загрязнений поверхности пластин и подложек являются: абразивные и клеящие материалы, кремниевая пыль при механической обработке; пыль в производственных помещениях; предметы, с которыми соприкасаются пластины и подложки (оборудование, инструмент, оснастка, технологическая тара); технологические среды; органические и неорганические реагенты, вода; одежда и открытые участки тела операторов и др.

Загрязнение пластин и подложек практически возможно на всех операциях технологического процесса изготовления кристаллов и сборки ИМС.

3.3. Виды загрязнений.

Возможные загрязнения на поверхности пластин и подложек классифицируют, как правило, по их физико-химическим свойствам, так как они определяют выбор методов удаления загрязнений. Наиболее распространенными являются загрязнения следующих видов:

· Физические загрязнения - пылинки, ворсинки, абразивные материалы, силикаты, кремниевая пыль и другие посторонние частицы, химически не связанные с поверхностью пластин и подложек.

· Загрязнения, химически связанные с поверхностью пластин и подложек - оксиды, нитриды и другие соединения.

· Органические загрязнения - неполярные жиры, масла, силиконы и другие неионные примеси.

· Растворимые в воде полярные загрязнения - соли, кислоты, остатки травителей, флюсы и пр.

· Газы, адсорбированные поверхностью пластин и подложек.

На поверхности пластин и подложек одновременно могут присутствовать загрязнения различных видов. Типичные загрязнения и их источники, встречающиеся в технологии полупроводниковых ИМС, приведены в таблице 1.

ЯДЕРНАЯ АСТРОФИЗИКА , раздел астрофизики, изучающий распространенность химических элементов во Вселенной и ядерные процессы в звездах и других космических объектах.

ВИНКЕЛЬМАН (Winckelmann) Иоганн Иоахим (1717-68) , немецкий историк искусства. Анализируя с просветительских позиций историю античного искусства, находил идеал в благородной, возвышенной скульптуре древнегреческой классики. Ее возникновение объяснял политической свободой. Основоположник эстетики классицизма.

УРВАН Антиохийский (ум . 251), христианский мученик, отрок, пострадавший в гонение императора Деция. Память в Православной церкви 4 (17) сентября.