Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Страница 5

Для обеспечения эффективной очистки с целью получения технологически чистой поверхности пластин (подложек) необходимо знать источник и вид загрязнения, характер его поведения на поверхности, методы удаления.

3.2. Источники загрязнений.

Основными источниками загрязнений поверхности пластин и подложек являются: абразивные и клеящие материалы, кремниевая пыль при механической обработке; пыль в производственных помещениях; предметы, с которыми соприкасаются пластины и подложки (оборудование, инструмент, оснастка, технологическая тара); технологические среды; органические и неорганические реагенты, вода; одежда и открытые участки тела операторов и др.

Загрязнение пластин и подложек практически возможно на всех операциях технологического процесса изготовления кристаллов и сборки ИМС.

3.3. Виды загрязнений.

Возможные загрязнения на поверхности пластин и подложек классифицируют, как правило, по их физико-химическим свойствам, так как они определяют выбор методов удаления загрязнений. Наиболее распространенными являются загрязнения следующих видов:

· Физические загрязнения - пылинки, ворсинки, абразивные материалы, силикаты, кремниевая пыль и другие посторонние частицы, химически не связанные с поверхностью пластин и подложек.

· Загрязнения, химически связанные с поверхностью пластин и подложек - оксиды, нитриды и другие соединения.

· Органические загрязнения - неполярные жиры, масла, силиконы и другие неионные примеси.

· Растворимые в воде полярные загрязнения - соли, кислоты, остатки травителей, флюсы и пр.

· Газы, адсорбированные поверхностью пластин и подложек.

На поверхности пластин и подложек одновременно могут присутствовать загрязнения различных видов. Типичные загрязнения и их источники, встречающиеся в технологии полупроводниковых ИМС, приведены в таблице 1.

Страницы: 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ГЕНУЭЗСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ 1922 (10 апр . - 19 мая), международная конференция по экономическим и финансовым вопросам с участием 28 европейских государств и России, а также 5 британских доминионов. Российская делегация выразила готовность обсудить вопрос о форме компенсации бывшим иностранным собственникам в России при условии признания Советов де-юре и предоставления ей кредитов. Российская делегация внесла предложение о всеобщем разоружении. Вопросы, стоявшие на Генуэзской конференции, разрешены не были, часть из них была перенесена на Гаагскую конференцию 1922. В ходе Генуэзской конференции российской дипломатии удалось заключить Рапалльский договор 1922 с Германией.

ЦИКЛОПИЯ (от греч . Kyklops - циклоп, одноглазый великан), порок развития; оба глазных яблока полностью или частично слиты и помещаются в одной глазнице.

СЕРАМ , гористый остров в составе Молуккских о-вов, в Индонезии. 17,1 тыс. км2. Высота до 3019 м. Влажные тропические леса. Тропическое земледелие; рыболовство.