Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластинСтраница 5
Для обеспечения эффективной очистки с целью получения технологически чистой поверхности пластин (подложек) необходимо знать источник и вид загрязнения, характер его поведения на поверхности, методы удаления.
3.2. Источники загрязнений.
Основными источниками загрязнений поверхности пластин и подложек являются: абразивные и клеящие материалы, кремниевая пыль при механической обработке; пыль в производственных помещениях; предметы, с которыми соприкасаются пластины и подложки (оборудование, инструмент, оснастка, технологическая тара); технологические среды; органические и неорганические реагенты, вода; одежда и открытые участки тела операторов и др.
Загрязнение пластин и подложек практически возможно на всех операциях технологического процесса изготовления кристаллов и сборки ИМС.
3.3. Виды загрязнений.
Возможные загрязнения на поверхности пластин и подложек классифицируют, как правило, по их физико-химическим свойствам, так как они определяют выбор методов удаления загрязнений. Наиболее распространенными являются загрязнения следующих видов:
· Физические загрязнения - пылинки, ворсинки, абразивные материалы, силикаты, кремниевая пыль и другие посторонние частицы, химически не связанные с поверхностью пластин и подложек.
· Загрязнения, химически связанные с поверхностью пластин и подложек - оксиды, нитриды и другие соединения.
· Органические загрязнения - неполярные жиры, масла, силиконы и другие неионные примеси.
· Растворимые в воде полярные загрязнения - соли, кислоты, остатки травителей, флюсы и пр.
· Газы, адсорбированные поверхностью пластин и подложек.
На поверхности пластин и подложек одновременно могут присутствовать загрязнения различных видов. Типичные загрязнения и их источники, встречающиеся в технологии полупроводниковых ИМС, приведены в таблице 1.
ЯГУЖИНСКИЙ Павел Иванович (1683-1736) , граф, российский государственный деятель и дипломат, один из ближайших помощников Петра I, генерал-прокурор Сената.
ЗЕЕБЕК (Seebeck) Томас Иоганн (1770-1831) , немецкий физик. Открыл термоэлектричество (эффект Зеебека).
КОРРЕЛЯЦИЯ языковая ,..1) взаимообусловленность, связь, определенная зависимость языковых элементов...2) Разновидность оппозиции в фонологии (см. Оппозиция в лингвистике).