ChemStudy

В отдельных случаях при изготовлении полупроводниковых ИМС используют диэлектрические подложки, а при изготовлении гибридных ИМС и микросборок - металлические подложки. К конструкции и материалу подложек предъявляется ряд требований, вытекающих из необходимости воспроизведения и обеспечения заданных электрических параметров элементов и ИМС, их надежности в самых различных условиях эксплуатации, и обусловленных также особенностями технологии изготовления и сборки ИМС.

Монокристаллические пластины из разных полупроводниковых материалов составляют основу для изготовления полупроводниковых ИМС различного конструктивно-технологического исполнения и функционального назначения.

Пригодность полупроводникового материала для использования в интегральных микросхемах определяется в основном параметрами, зависящими от его физических свойств: оптических, термических, термоэлектрических, зонной структуры, ширины запрещенной зоны, положения в ней примесных уровней и др.

Очень важны электрические свойства полупроводникового материала: тип электропроводности, концентрация носителей заряда, их подвижность, удельное сопротивление, время жизни неосновных носителей заряда и их диффузионная длина - существенно зависящие от технологии получения полупроводника.

2.2. Кремний - основной материал полупроводникового производства.

В настоящее время из всех полупроводниковых материалов наибольшее применение для изготовления полупроводниковых ИМС получил кремний.

Кремний - элемент IV группы Периодической системы элементов Д.И.Менделеева, один из самых распространенных элементов на Земле, содержание его в земной коре составляет 29,5%. В природе кремний встречается только в соединениях в виде окисла и в солях кремниевых кислот. Чистота природной окиси кремния в виде монокристаллов кварца иногда достигает 99,99%; в ряде месторождений чистота песка составляет 99,8-99,9%.

Технический кремний, получаемый восстановлением двуокиси кремния SiO2 в электрической дуге между графитовыми электродами, содержит около 1% примесей и как полупроводник не может быть использован; он является исходным сырьем для получения кремния полупроводниковой чистоты, примесей в котором должно быть менее .

Разработана промышленная технология, позволяющая получать особо чистый кремний с содержанием примесей

Более широкое применение кремния обусловлено преимуществом его физических и технологических свойств по сравнению с другими полупроводниками (в частности, с германием).

Для изготовления полупроводниковых приборов и ИМС используют выпускаемые промышленностью пластины кремния четырех |видов:

1) Однослойные p- и n- типов;

2) Двухслойные р- или n- типа с эпитаксиальным n-слоем, покрытые оксидом либо нитридом кремния;

3) Двухслойные р-типа с эпитаксиальным n- слоем и скрытым n+- слоем;

ИГОЛЬНОГО МЫСА ТЕЧЕНИЕ (Агульясово течение) , поверхностное теплое течение в Индийском ок., у юго-восточных берегов Африки. Образуется при слиянии вод Мозамбикского и Мадагаскарского течений. Ок. 38о ю. ш. уходит в глубину.

ЕРЕМЕЕВ Павел Владимирович (1830-99) , российский минералог, академик Петербургской АН (1894). Дал точное минералогическое и кристаллографическое описание многих минералов России.

ЮЖНОЕ ОБЩЕСТВО , тайная революционная организация декабристов на Украине в 1821-25. Члены - главным образом офицеры. Создано на базе Тульчинской управы "Союза благоденствия". Учредители: П. И. Пестель, А. П. Юшневский, П. В. Аврамов, А. П. Барятинский, Н. В. Басаргин, Ф. Б. Вольф, В. П. Ивашев, бр. Крюковы, составившие Коренную думу. К ним присоединились С. Г. Волконский, В. Л. Давыдов, позднее М. И. и С. И. Муравьевы-Апостолы, М. П. Бестужев-Рюмин и др. Директория: Пестель, Юшневский, Н. М. Муравьев (от Северного общества). Управы: Тульчинская, Кишиневская (до 1822), Каменская, Васильковская, Славянская (с 1825). Политической программой была "Русская правда" Пестеля, на ее основе стремились к объединению с Северным обществом. С 1823 поддерживали связь с Польским патриотическим обществом, в 1825 присоединили Общество соединенных славян. После поражения Черниговского полка восстания было разгромлено.