Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластинСтраница 3
В отдельных случаях при изготовлении полупроводниковых ИМС используют диэлектрические подложки, а при изготовлении гибридных ИМС и микросборок - металлические подложки. К конструкции и материалу подложек предъявляется ряд требований, вытекающих из необходимости воспроизведения и обеспечения заданных электрических параметров элементов и ИМС, их надежности в самых различных условиях эксплуатации, и обусловленных также особенностями технологии изготовления и сборки ИМС.
Монокристаллические пластины из разных полупроводниковых материалов составляют основу для изготовления полупроводниковых ИМС различного конструктивно-технологического исполнения и функционального назначения.
Пригодность полупроводникового материала для использования в интегральных микросхемах определяется в основном параметрами, зависящими от его физических свойств: оптических, термических, термоэлектрических, зонной структуры, ширины запрещенной зоны, положения в ней примесных уровней и др.
Очень важны электрические свойства полупроводникового материала: тип электропроводности, концентрация носителей заряда, их подвижность, удельное сопротивление, время жизни неосновных носителей заряда и их диффузионная длина - существенно зависящие от технологии получения полупроводника.
2.2. Кремний - основной материал полупроводникового производства.
В настоящее время из всех полупроводниковых материалов наибольшее применение для изготовления полупроводниковых ИМС получил кремний.
Кремний - элемент IV группы Периодической системы элементов Д.И.Менделеева, один из самых распространенных элементов на Земле, содержание его в земной коре составляет 29,5%. В природе кремний встречается только в соединениях в виде окисла и в солях кремниевых кислот. Чистота природной окиси кремния в виде монокристаллов кварца иногда достигает 99,99%; в ряде месторождений чистота песка составляет 99,8-99,9%.
Технический кремний, получаемый восстановлением двуокиси кремния SiO2 в электрической дуге между графитовыми электродами, содержит около 1% примесей и как полупроводник не может быть использован; он является исходным сырьем для получения кремния полупроводниковой чистоты, примесей в котором должно быть менее
.
Разработана промышленная технология, позволяющая получать особо чистый кремний с содержанием примесей ![]()
Более широкое применение кремния обусловлено преимуществом его физических и технологических свойств по сравнению с другими полупроводниками (в частности, с германием).
Для изготовления полупроводниковых приборов и ИМС используют выпускаемые промышленностью пластины кремния четырех |видов:
1) Однослойные p- и n- типов;
2) Двухслойные р- или n- типа с эпитаксиальным n-слоем, покрытые оксидом либо нитридом кремния;
3) Двухслойные р-типа с эпитаксиальным n- слоем и скрытым n+- слоем;
ЯКОВЛЕВА Елена Алексеевна (р . 1961), российская актриса, заслуженная артистка России. С 1984 (с перерывами) в театре "Современник". Широкую популярность приобрела, снявшись в фильме П. Е. Тодоровского "Интердевочка" (1989). Среди других работ - роли в телесериале "Петербургские тайны", в фильме С. Ю. Юрского "Чернов/Chernoff" и др.
ЕПИФАНИЙ ПРЕМУДРЫЙ (до 1380 - между 1418-22) , русский писатель, монах. Жития Стефана Пермского (1396-98) и Сергия Радонежского (1417-18). Эмоционально-экспрессивный стиль (виртуозное "плетение словес"), повествовательное мастерство.
АЛИ-БЕЙ АЛЬ-КАБИР (1728-73) , мамлюкский правитель Египта с 1757 (с 1770 султан). В период русско-турецкой войны 1768-74 выслал турецкого пашу (1768), провозгласил (1770) независимость Египта и начал войну с Турцией. В 1772 был свергнут мамлюкскими беями, противниками борьбы с Турцией, и бежал в Палестину.