Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Страница 3

В отдельных случаях при изготовлении полупроводниковых ИМС используют диэлектрические подложки, а при изготовлении гибридных ИМС и микросборок - металлические подложки. К конструкции и материалу подложек предъявляется ряд требований, вытекающих из необходимости воспроизведения и обеспечения заданных электрических параметров элементов и ИМС, их надежности в самых различных условиях эксплуатации, и обусловленных также особенностями технологии изготовления и сборки ИМС.

Монокристаллические пластины из разных полупроводниковых материалов составляют основу для изготовления полупроводниковых ИМС различного конструктивно-технологического исполнения и функционального назначения.

Пригодность полупроводникового материала для использования в интегральных микросхемах определяется в основном параметрами, зависящими от его физических свойств: оптических, термических, термоэлектрических, зонной структуры, ширины запрещенной зоны, положения в ней примесных уровней и др.

Очень важны электрические свойства полупроводникового материала: тип электропроводности, концентрация носителей заряда, их подвижность, удельное сопротивление, время жизни неосновных носителей заряда и их диффузионная длина - существенно зависящие от технологии получения полупроводника.

2.2. Кремний - основной материал полупроводникового производства.

В настоящее время из всех полупроводниковых материалов наибольшее применение для изготовления полупроводниковых ИМС получил кремний.

Кремний - элемент IV группы Периодической системы элементов Д.И.Менделеева, один из самых распространенных элементов на Земле, содержание его в земной коре составляет 29,5%. В природе кремний встречается только в соединениях в виде окисла и в солях кремниевых кислот. Чистота природной окиси кремния в виде монокристаллов кварца иногда достигает 99,99%; в ряде месторождений чистота песка составляет 99,8-99,9%.

Технический кремний, получаемый восстановлением двуокиси кремния SiO2 в электрической дуге между графитовыми электродами, содержит около 1% примесей и как полупроводник не может быть использован; он является исходным сырьем для получения кремния полупроводниковой чистоты, примесей в котором должно быть менее .

Разработана промышленная технология, позволяющая получать особо чистый кремний с содержанием примесей

Более широкое применение кремния обусловлено преимуществом его физических и технологических свойств по сравнению с другими полупроводниками (в частности, с германием).

Для изготовления полупроводниковых приборов и ИМС используют выпускаемые промышленностью пластины кремния четырех |видов:

1) Однослойные p- и n- типов;

2) Двухслойные р- или n- типа с эпитаксиальным n-слоем, покрытые оксидом либо нитридом кремния;

3) Двухслойные р-типа с эпитаксиальным n- слоем и скрытым n+- слоем;

Страницы: 1 2 3 4 5 6 7

ЭРФУРТ (Erfurt) , город в Германии, на р. Гера, административный центр земли Тюрингия. 205 тыс. жителей (1992). Международный аэропорт. Машиностроение, химическая, мебельная, обувная, полиграфическая промышленность. Международная выставка цветов. Медицинская академия. Готический ансамбль собора (12-15 вв.) и церковь Северикирхе (13-14 вв.); доминиканская церковь (14-15 вв.), готические, ренессансные и барочные дома 15-18 вв.

ЧЕРНАЯ МАНЕРА , см. Меццо-тинто.

ЕВФРАТ , река в Турции, Сирии, Ираке. Образуется слиянием рек Мурат и Карасу. Длина (от истока р. Мурат) 3065 км, площадь бассейна 673 тыс. км2. Начало в горах Армянского нагорья, протекает по Месопотамской низм.; в низовьях сливается с р. Тигр, образуя р. Шатт-эль-Араб, впадающую в Персидский зал. Весеннее половодье. Средний расход воды у г. Хит (начало судоходства) 840 м3/с, ниже - уменьшается до 300-400 м3/с. На Евфрате-гидроузлы Кебан (Турция), Табка (Сирия). Междуречье Тигра и Евфрата - один из древнейших центров цивилизации (см. Шумер, Вавилония, Ассирия).