Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Страница 4

4) Гетероэпитаксиальные структуры типа кремний на сапфире.

Однослойные пластины кремния р- и n-типов получают резкой слитков монокристаллического кремния диаметром 50-150 мм на пластины толщиной 0,25-0,4 мм. Промышленностью выпускаются слитки монокристаллического кремния, которые в зависимости от типа электропроводности и значения удельного сопротивления подразделяются на пять групп.

Подготовка пластин, получаемых из слитков монокристаллического кремния, является одним из важнейших этапов производства ИМС и включает в себя следующие операции: ориентацию слитков по кристаллографическим осям, резку слитков на пластины, шлифование, полирование, травление и очистку поверхностей от загрязнений различных типов, приобретённых на предыдущих этапах обработки.

3. Виды загрязнений поверхности подложек и пластин.

3.1. Возникновение загрязнений.

Электрические характеристики ИМС и их надежность во многом обусловливаются степенью совершенства кристаллической решетки и чистотой обрабатываемой поверхности пластин и подложек. Поэтому обязательным условием получения бездефектных полупроводниковых и пленочных структур является отсутствие на поверхности пластин и подложек нарушенного слоя и каких-либо загрязнений.

Как известно, нарушенный приповерхностный слой полупроводниковых пластин является следствием их механической обработки. Используемые при подготовке пластин методы шлифования, полирования и травления позволяют удалить нарушенный слой (рис. 1).

Рис. 1.

Изменение толщины нарушенного слоя при механической обработке монокристаллических полупроводниковых пластин:

1) после резки; 2) после шлифования; 3)после полирования; 4) после травления.

Однако атомы материала пластины (подложки), расположенные на ее поверхности, имеют намного больше ненасыщенных связей, чем атомы в объеме. Этим объясняются высокие адсорбционные свойства и химическая активность поверхности пластин.

В условиях производства ИМС пластины и подложки соприкасаются с различными средами, и полностью защитить их от адсорбции различного рода примесей невозможно. В то же время получить идеально чистую поверхность (без посторонних примесей) тоже практически невозможно. Поэтому применяемое в технике понятие «чистая поверхность» имеет относительный характер. Технологически чистой считают поверхность, которая имеет концентрацию примесей, не препятствующую воспроизводимому получению заданных значений и стабильности параметров ИМС. Допустимая концентрация примесей на поверхности пластин зависит от сложности ИМС и способа ее формирования, в худшем случае она не должна превышать .

Страницы: 1 2 3 4 5 6 7 8

ЧЕБОКСАРОВ Николай Николаевич (1907-80) , российский антрополог и этнограф, профессор МГУ. Труды по общим проблемам этнографии, этногенезу, классификации рас.

РОБЕРТ ДЕ БОРОН (2-я пол . 12 в.), англо-нормандский поэт. Автор стихотворного романа "Иосиф Аримафейский" - важнейшего источника мотивов средневековой словесности, связанных со священной чашей Грааль.

ТУЛА , город в Российской Федерации, центр Тульской обл., на р. Упа. Железнодорожный узел. 539 тыс. жителей (1993). Черная металлургия, машиностроение и металлообработка (ПО: металлообрабатывающих заводов, "Тульский комбайновый завод"; заводы: машиностроительный, горного и транспортного машиностроения, оружейный, "Штамп" - мотороллеры, самовары и др.), химическая (химического волокна, пластмассы и др.), легкая, пищевая промышленность, производство стройматериалов и музыкальных инструментов. Университет. 3 театра. Краеведческий, художественный музеи, музей оружия (с 1724). Известен с 1146, с 17 в. - один из центров железоделательного производства. В октябре - декабре 1941 части Красной Армии и население героически обороняли Тулу; в 1976 Туле присвоено звание город-герой. Архитектурные памятники: кремль (1514-2..1) с Успенским собором (1762-64); церковь Благовещения (1692).