Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластинСтраница 4
4) Гетероэпитаксиальные структуры типа кремний на сапфире.
Однослойные пластины кремния р- и n-типов получают резкой слитков монокристаллического кремния диаметром 50-150 мм на пластины толщиной 0,25-0,4 мм. Промышленностью выпускаются слитки монокристаллического кремния, которые в зависимости от типа электропроводности и значения удельного сопротивления подразделяются на пять групп.
Подготовка пластин, получаемых из слитков монокристаллического кремния, является одним из важнейших этапов производства ИМС и включает в себя следующие операции: ориентацию слитков по кристаллографическим осям, резку слитков на пластины, шлифование, полирование, травление и очистку поверхностей от загрязнений различных типов, приобретённых на предыдущих этапах обработки.
3. Виды загрязнений поверхности подложек и пластин.
3.1. Возникновение загрязнений.
Электрические характеристики ИМС и их надежность во многом обусловливаются степенью совершенства кристаллической решетки и чистотой обрабатываемой поверхности пластин и подложек. Поэтому обязательным условием получения бездефектных полупроводниковых и пленочных структур является отсутствие на поверхности пластин и подложек нарушенного слоя и каких-либо загрязнений.
Как известно, нарушенный приповерхностный слой полупроводниковых пластин является следствием их механической обработки. Используемые при подготовке пластин методы шлифования, полирования и травления позволяют удалить нарушенный слой (рис. 1).
Рис. 1.
Изменение толщины нарушенного слоя при механической обработке монокристаллических полупроводниковых пластин:
1) после резки; 2) после шлифования; 3)после полирования; 4) после травления.
Однако атомы материала пластины (подложки), расположенные на ее поверхности, имеют намного больше ненасыщенных связей, чем атомы в объеме. Этим объясняются высокие адсорбционные свойства и химическая активность поверхности пластин.
В условиях производства ИМС пластины и подложки соприкасаются с различными средами, и полностью защитить их от адсорбции различного рода примесей невозможно. В то же время получить идеально чистую поверхность (без посторонних примесей) тоже практически невозможно. Поэтому применяемое в технике понятие «чистая поверхность» имеет относительный характер. Технологически чистой считают поверхность, которая имеет концентрацию примесей, не препятствующую воспроизводимому получению заданных значений и стабильности параметров ИМС. Допустимая концентрация примесей на поверхности пластин зависит от сложности ИМС и способа ее формирования, в худшем случае она не должна превышать
.
ЯДРИН , город в Российской Федерации, Чувашия, пристань на р. Сура, в 60 км от ж.-д. ст. Шумерля. 10,8 тыс. жителей (1993). Пищевая промышленность. Основан в 1590. Близ Ядрина - Чувашский конный завод (русские рысаки и тяжеловозы).
РОШАЛЬ , город (с 1940) в Российской Федерации, Московская обл., на р. Воймега, в 17 км от ж.-д. ст. Черусти. 24 тыс. жителей (1993). Химический комбинат. Назван по имени участника Октябрьской революции С. Г. Рошаля (1896-1917).
ЗЕМЛЕТРЯСЕНИЕ , подземные толчки и колебания земной поверхности, возникающие в результате внезапных смещений и разрывов в земной коре или верхней части мантии и передающиеся на большие расстояния в виде упругих колебаний. Интенсивность землетрясений оценивается в сейсмических баллах (см. Сейсмическая шкала), для энергетической классификации землетрясений пользуются магнитудой (см. Рихтера шкала). Известно два главных сейсмических пояса: Тихоокеанский, охватывающий кольцом берега Тихого ок., и Средиземноморский, простирающийся через юг Евразии от Пиренейского п-ова на запад до Малайского арх. на востоке. В пределах океанов значительной сейсмической активностью отличаются срединно-океанические хребты. Наиболее известные катастрофические землетрясения: Лиссабонское 1755, Калифорнийское 1906, Мессинское 1908, Ашхабадское 1948, Чилийское 1960, Армянское 1988, Иранское 1990.