Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластинСтраница 1
Содержание
Стр.
1. Введение 2
2. Подложки интегральных микросхем и их назначение 3
2.1. Назначение подложек 3
2.2. Кремний - основной материал полупроводникового производства 4
3. Виды загрязнений поверхности подложек и пластин 5
3.1. Возникновение загрязнений 5
3.2. Источники загрязнений 6
3.3. Виды загрязнений 6
4. Методы удаления загрязнений 8
4.1. Классификация методов очистки пластин и подложек 8
4.2. Способы жидкостной обработки пластин и подложек 9
4.2.1. Обезжиривание 9
4.2.2. Травление 10
4.2.3. Промывание пластин и подложек 13
4.2.4. Интенсификация процессов очистки 13
4.3. Способы сухой очистки пластин и подложек 15
4.3.1. Термообработка 15
4.3.2. Газовое травление 16
4.3.3. Ионное травление 17
4.3.4. Плазмохимическое травление 17
4.4. Типовые процессы очистки пластин и подложек 19
5. Заключение 20
6. Список литературы 20
1. Введение
Современный этап развития радиоэлектроники характеризуется широким применением интегральных микросхем (ИМС) во всех радиотехнических системах и аппаратуре. Это связано со значительным усложнением требований и задач, решаемых радиоэлектронной аппаратурой, что привело к росту числа элементов в ней. За каждое десятилетие число элементов в аппаратуре увеличивается в 5-20 раз. Разрабатываемые сейчас сложные комплексы аппаратуры и системы содержат миллионы и десятки миллионов элементов. В этих условиях исключительно важное значение приобретают проблемы повышения надежности аппаратуры и ее элементов, микроминиатюризации электро-радиокомпонентов и комплексной миниатюризации аппаратуры. Все эти проблемы успешно решает микроэлектроника.
ВАД , минерал группы псиломелана, собирательное название землистых и сажистых агрегатов водного MnO2 с переменным содержанием примесей K, Ba, Cu, Zn, Fe, Pb, W, Li, Co, Ni. Разновидность вада - асболан (до 17% CoO наряду с Ni и Cu). Твердость 1-4; плотность 2,8-4,4 г/см3. Гипергенный. Руда марганца, кобальта и никеля.
ГИБСОНА ПУСТЫНЯ (Gibson Desert) , на западе Австралии. Преобладают щебнистые плато высотой 300-500 м (отдельные кряжи до 762 м), покрытые кустарниковой акацией (мульга) и злаком спинифекс. Осадков до 250 мм в год. Скотоводство.
РАСХОДОМЕР , прибор для определения расхода газа, жидкости или сыпучих материалов. Различают расходомеры индукционные (измеряют электродвижущую силу, наводимую в потоке вещества магнитным полем), тепловые (учитывают интенсивность теплообмена в потоке) и др.