Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Страница 1

Содержание

Стр.

1. Введение 2

2. Подложки интегральных микросхем и их назначение 3

2.1. Назначение подложек 3

2.2. Кремний - основной материал полупроводникового производства 4

3. Виды загрязнений поверхности подложек и пластин 5

3.1. Возникновение загрязнений 5

3.2. Источники загрязнений 6

3.3. Виды загрязнений 6

4. Методы удаления загрязнений 8

4.1. Классификация методов очистки пластин и подложек 8

4.2. Способы жидкостной обработки пластин и подложек 9

4.2.1. Обезжиривание 9

4.2.2. Травление 10

4.2.3. Промывание пластин и подложек 13

4.2.4. Интенсификация процессов очистки 13

4.3. Способы сухой очистки пластин и подложек 15

4.3.1. Термообработка 15

4.3.2. Газовое травление 16

4.3.3. Ионное травление 17

4.3.4. Плазмохимическое травление 17

4.4. Типовые процессы очистки пластин и подложек 19

5. Заключение 20

6. Список литературы 20

1. Введение

Современный этап развития радиоэлектроники характеризуется широким применением интегральных микросхем (ИМС) во всех радиотехнических системах и аппаратуре. Это связано со значительным усложнением требований и задач, решаемых радиоэлектронной аппаратурой, что привело к росту числа элементов в ней. За каждое десятилетие число элементов в аппаратуре увеличивается в 5-20 раз. Разрабатываемые сейчас сложные комплексы аппаратуры и системы содержат миллионы и десятки миллионов элементов. В этих условиях исключительно важное значение приобретают проблемы повышения надежности аппаратуры и ее элементов, микроминиатюризации электро-радиокомпонентов и комплексной миниатюризации аппаратуры. Все эти проблемы успешно решает микроэлектроника.

Страницы: 1 2 3 4 5

ЯКУШИН Михаил Иосифович (р . 1910), российский спортсмен, заслуженный мастер спорта (1940), заслуженный тренер СССР (1957). В 1935-47 неоднократный чемпион СССР по футболу, хоккею (с мячом и с шайбой).

ШИХЭЦЗЫ , город на северо-западе Китая. Синцзян-Уйгурский автономный район. 300 тыс. жителей (1990). Переработка сельскохозяйственной продукции, нефтепереработка, машиностроение.

КРАСНОЕ МОРЕ , межматериковое море Индийского ок., между Африкой и Аравийским п-овом. Соединяется на юге Баб-эль-Мандебским прол. с Аденским зал. и Аравийским м., на севере - Суэцким каналом со Средиземным м. 460 тыс. км2. Глубина до 3039 м. Одно из самых теплых (до 32 °С) и соленых (38-42‰) морей. Рыболовство, добыча жемчуга и кораллов. Главные порты: Суэц, Порт-Судан, Джидда, Массауа, Ходейда.