Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластинСтраница 14
Эффективность очистки зависит от температуры, максимальное значение которой ограничено температурой плавления очищаемых материалов и процессами диффузии примесей.
4.3.2. Газовое травление.
Сущность газового травления заключается в химическом взаимодействии материала пластин с газообразными веществами и образовании при этом легко улетучиваемых соединений. В процессе газового травления загрязнения удаляются вместе со стравливаемым приповерхностным слоем пластин.
Газовое травление как метод окончательной очистки применяют в первую очередь непосредственно перед теми технологическими процессами, в которых определяющую роль играет структура поверхностного слоя (например, перед эпитаксиальным наращиванием). В качестве травителей используют смеси водорода или гелия с галогенами (фтор, хлор, бром), галогеноводородами (HBr, HC1), сероводородом
, гексафторидом серы.
Молярное содержание этих веществ в водороде или гелии может изменяться от десятых долей процента до единиц процентов. Очистку осуществляют при температурах 800-1300°С в установках термического окисления либо непосредственно в реакторах эпитаксиального наращивания.
Наибольшее распространение получило травление кремниевых пластин хлористым водородом при температурах 1150-1250°С, при этом происходит реакция:
(9)
Скорость травления зависит от температуры и концентрации HC1 в водороде. Аналогично происходит травление кремния в HBr.
Травление кремниевых пластин в парах тетрахлорида кремния сопровождается реакцией
(10)
При хлорном травлении в качестве газоносителя используют гелий. Травление осуществляют при температуре около 1000°С и содержании хлора в гелии не более 0,2% в соответствии с реакцией:
"РУССКИЙ ЯЗЫК" , издательство, Москва. Основано в 1974. Литература для иностранцев, изучающих русский язык, филологические и научно-технические словари и др.
ФЕРРОДИНАМИЧЕСКИЙ ПРИБОР , для измерения силы тока, напряжения, мощности в цепях переменного (реже постоянного) тока, основан на взаимодействии магнитных полей двух (или более) катушек с током - подвижной и неподвижной, размещаемой на ферромагнитном сердечнике.
МИЛИУС (Milius) Джон (р . 1944), американский киносценарист, режиссер, продюсер. Основная тенденция творчества - романтическая поэтизация первобытно-агрессивных импульсов. Всемирную известность принес ему фильм "Конан-варвар" (1982). Поставил также фильмы: "Диллинджер" (1973), "Красный рассвет" (1984), "Прощай, король" (1989) и др.