ChemStudy

Эффективность очистки зависит от температуры, максимальное значение которой ограничено температурой плавления очищаемых материалов и процессами диффузии примесей.

4.3.2. Газовое травление.

Сущность газового травления заключается в химическом взаимодействии материала пластин с газообразными веществами и образовании при этом легко улетучиваемых соединений. В процессе газового травления загрязнения удаляются вместе со стравливаемым приповерхностным слоем пластин.

Газовое травление как метод окончательной очистки применяют в первую очередь непосредственно перед теми технологическими процессами, в которых определяющую роль играет структура поверхностного слоя (например, перед эпитаксиальным наращиванием). В качестве травителей используют смеси водорода или гелия с галогенами (фтор, хлор, бром), галогеноводородами (HBr, HC1), сероводородом, гексафторидом серы.

Молярное содержание этих веществ в водороде или гелии может изменяться от десятых долей процента до единиц процентов. Очистку осуществляют при температурах 800-1300°С в установках термического окисления либо непосредственно в реакторах эпитаксиального наращивания.

Наибольшее распространение получило травление кремниевых пластин хлористым водородом при температурах 1150-1250°С, при этом происходит реакция:

(9)

Скорость травления зависит от температуры и концентрации HC1 в водороде. Аналогично происходит травление кремния в HBr.

Травление кремниевых пластин в парах тетрахлорида кремния сопровождается реакцией

(10)

При хлорном травлении в качестве газоносителя используют гелий. Травление осуществляют при температуре около 1000°С и содержании хлора в гелии не более 0,2% в соответствии с реакцией:

ХИЛОК , город (с 1951) в Российской Федерации, Читинская обл., на р. Хилок. Железнодорожная станция. 13,6 тыс. жителей (1993). Предприятия железнодорожного транспорта; леспромхоз.

ОМ , единица электрического сопротивления СИ; сопротивление проводника, между концами которого при силе тока 1А возникает напряжение 1В. Обозначается Ом, назван по имени Г. С. Ома. 1 Ом = 1,11·10-12 ед. СГСЭ (электростатическая система СГС) = 109 ед. СГСМ (электромагнитная система СГС) (см. СГС система единиц).

ШАНСКОЕ НАГОРЬЕ , главным образом на востоке Мьянмы. Ок. 150 тыс. км2. Высота до 2693 м. На западе - волнистые равнины, на востоке - сложная система хр. Каньоны Салуина и Меконга. Листопадные и вечнозеленые леса, саванны.