Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Страница 14

Эффективность очистки зависит от температуры, максимальное значение которой ограничено температурой плавления очищаемых материалов и процессами диффузии примесей.

4.3.2. Газовое травление.

Сущность газового травления заключается в химическом взаимодействии материала пластин с газообразными веществами и образовании при этом легко улетучиваемых соединений. В процессе газового травления загрязнения удаляются вместе со стравливаемым приповерхностным слоем пластин.

Газовое травление как метод окончательной очистки применяют в первую очередь непосредственно перед теми технологическими процессами, в которых определяющую роль играет структура поверхностного слоя (например, перед эпитаксиальным наращиванием). В качестве травителей используют смеси водорода или гелия с галогенами (фтор, хлор, бром), галогеноводородами (HBr, HC1), сероводородом, гексафторидом серы.

Молярное содержание этих веществ в водороде или гелии может изменяться от десятых долей процента до единиц процентов. Очистку осуществляют при температурах 800-1300°С в установках термического окисления либо непосредственно в реакторах эпитаксиального наращивания.

Наибольшее распространение получило травление кремниевых пластин хлористым водородом при температурах 1150-1250°С, при этом происходит реакция:

(9)

Скорость травления зависит от температуры и концентрации HC1 в водороде. Аналогично происходит травление кремния в HBr.

Травление кремниевых пластин в парах тетрахлорида кремния сопровождается реакцией

(10)

При хлорном травлении в качестве газоносителя используют гелий. Травление осуществляют при температуре около 1000°С и содержании хлора в гелии не более 0,2% в соответствии с реакцией:

Страницы: 10 11 12 13 14 15 16 17

ВАН АНЬШИ (1021-86) , китайский реформатор; в 1070-74 и 1075-76 первый министр. Ввел систему государственных ссуд крестьянам, заменил наемное войско армией, комплектуемой путем рекрутского набора, пытался регулировать рыночные цены. Большая часть реформ была отменена в 1085.

ПЬЮДЖЕТ-САУНД (Puget Sound) , залив Тихого ок. у западных берегов Сев. Америки. Длина 126 км, ширина у входа 60 км. Глубина до 245 м. Много удобных бухт. Со стороны океана вход в залив прикрыт о. Ванкувер. Порты: Сиэтл, Такома, Бремертон.

ЦЕЙСКИЙ ЛЕДНИК , на северном склоне Большого Кавказа, в бас. р. Ардон. Спускается до высоты 2200 м. Длина ок. 9 км, площадь 9,7 км2. Близ Цейского ледника альпинистские лагеря, турбаза, климатический курорт.