Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Страница 14

Эффективность очистки зависит от температуры, максимальное значение которой ограничено температурой плавления очищаемых материалов и процессами диффузии примесей.

4.3.2. Газовое травление.

Сущность газового травления заключается в химическом взаимодействии материала пластин с газообразными веществами и образовании при этом легко улетучиваемых соединений. В процессе газового травления загрязнения удаляются вместе со стравливаемым приповерхностным слоем пластин.

Газовое травление как метод окончательной очистки применяют в первую очередь непосредственно перед теми технологическими процессами, в которых определяющую роль играет структура поверхностного слоя (например, перед эпитаксиальным наращиванием). В качестве травителей используют смеси водорода или гелия с галогенами (фтор, хлор, бром), галогеноводородами (HBr, HC1), сероводородом, гексафторидом серы.

Молярное содержание этих веществ в водороде или гелии может изменяться от десятых долей процента до единиц процентов. Очистку осуществляют при температурах 800-1300°С в установках термического окисления либо непосредственно в реакторах эпитаксиального наращивания.

Наибольшее распространение получило травление кремниевых пластин хлористым водородом при температурах 1150-1250°С, при этом происходит реакция:

(9)

Скорость травления зависит от температуры и концентрации HC1 в водороде. Аналогично происходит травление кремния в HBr.

Травление кремниевых пластин в парах тетрахлорида кремния сопровождается реакцией

(10)

При хлорном травлении в качестве газоносителя используют гелий. Травление осуществляют при температуре около 1000°С и содержании хлора в гелии не более 0,2% в соответствии с реакцией:

Страницы: 10 11 12 13 14 15 16 17

ПРОПОРЦИОНАЛЬНАЯ КАМЕРА , электронный координатный детектор частиц. Состоит из большого числа (102 - 103) пропорциональных счетчиков. По регистрации частицы отдельными счетчиками определяется траектория (трек) частицы. Пропорциональная камера является быстродействующим спектрометром.

ЯМВЛИХ (сер . 3 в. - ок. 330), античный философ-идеалист, ученик Порфирия, основатель сирийской школы неоплатонизма, в учение которого внес элементы восточного магизма.

"БЫЛОЕ" , сборник (Лондон - Париж, 1900-04, 1908-13, 15 номеров) и журнал (Санкт-Петербург-Ленинград, 1906-07, 1917-26, 57 номеров). Документы и материалы по истории революционного движения, преимущественно 2-й пол. 19 в. Редакторы: В. Л. Бурцев, В. Я. Богучарский, П. Е. Щеголев.