Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластинСтраница 14
Эффективность очистки зависит от температуры, максимальное значение которой ограничено температурой плавления очищаемых материалов и процессами диффузии примесей.
4.3.2. Газовое травление.
Сущность газового травления заключается в химическом взаимодействии материала пластин с газообразными веществами и образовании при этом легко улетучиваемых соединений. В процессе газового травления загрязнения удаляются вместе со стравливаемым приповерхностным слоем пластин.
Газовое травление как метод окончательной очистки применяют в первую очередь непосредственно перед теми технологическими процессами, в которых определяющую роль играет структура поверхностного слоя (например, перед эпитаксиальным наращиванием). В качестве травителей используют смеси водорода или гелия с галогенами (фтор, хлор, бром), галогеноводородами (HBr, HC1), сероводородом
, гексафторидом серы.
Молярное содержание этих веществ в водороде или гелии может изменяться от десятых долей процента до единиц процентов. Очистку осуществляют при температурах 800-1300°С в установках термического окисления либо непосредственно в реакторах эпитаксиального наращивания.
Наибольшее распространение получило травление кремниевых пластин хлористым водородом при температурах 1150-1250°С, при этом происходит реакция:
(9)
Скорость травления зависит от температуры и концентрации HC1 в водороде. Аналогично происходит травление кремния в HBr.
Травление кремниевых пластин в парах тетрахлорида кремния сопровождается реакцией
(10)
При хлорном травлении в качестве газоносителя используют гелий. Травление осуществляют при температуре около 1000°С и содержании хлора в гелии не более 0,2% в соответствии с реакцией:
ЦЕХИН (итал . zecchino, от zecca - монетный двор), золотая монета, начала чеканиться в Венеции в 1284 весом 3-4 г. С сер. 16 в. чеканились в ряде европейских государств под названием дукатов.
ЖЕЛТУХИН Николай Алексеевич (1915-94) , российский ученый, член-корреспондент РАН (1991; член-корреспондент АН СССР с 1968). Основные труды по газовой динамике, рабочим процессам в тепловых двигателях. Ленинская премия (1957).
САМТАВРСКИЙ МОГИЛЬНИК , ок. 3 тыс. погребений разного времени (сер. 3-го тыс. до н. э. - 9 в. н. э.), около г. Мцхета, в Грузии.