Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластинСтраница 15
(11)
Травление кремния в парах сероводорода происходит по реакции:
(12)
При этом получаются большие скорости травления (до 15 мкм/мин). Однако сероводород токсичен. Гексафторид серы, наоборот, не токсичен и обеспечивает хорошее качество поверхности при травлении кремния и сапфира. Травление кремния сопровождается реакцией:
(13)
Газовое травление обеспечивает получение более чистых поверхностей по сравнению с жидкостной, обработкой. Однако его применение ограничено из-за высоких температур процессов и необходимости использования газов особой чистоты.
4.3.3. Ионное травление.
Сущность ионного травления состоит в удалении поверхностных слоев материала при его бомбардировке потоком ионов инертных газов высокой энергии. При этом ускоренные ионы при столкновении с поверхностью пластин или подложек передают их атомам свою энергию и импульс.
* Ионное травление - процесс удаления загрязнений вместе с распыляемым в вакууме поверхностным слоем обрабатываемой поверхности при ее бомбардировке ускоренными ионами инертного газа.
Если во время столкновения энергия, передаваемая атому, превышает энергию химической связи атома в решетке, а импульс, сообщаемый атому, направлен наружу от поверхности, то происходит смещение атомов, их отрыв от поверхности - распыление. Для реализации этого процесса требуются определенные вакуумные условия, а ионы должны обладать определенными значениями энергий, достаточными для распыления материалов.
Разновидностью ионного травления является ионно-химическое (реактивное) травление, основанное на введении в плазму химически активного газа, обычно кислорода. При этом изменяется скорость травления вследствие химического взаимодействия между подложкой и добавленным газом.
4.3.4. Плазмохимическое травление.
В отличие от ионного плазмохимическое травление основано на разрушении обрабатываемого материала ионами активных газов, образующимися в плазме газового разряда и вступающими в химическую реакцию с атомами материала при бомбардировке поверхности пластин или подложек. При этом молекулы газа в разряде распадаются на реакционно-способные частицы - электроны, ионы и свободные радикалы, химически взаимодействующие с травящейся поверхностью. В результате химических реакций образуются летучие соединения.
Для травления кремния и его соединений (оксида и нитрида кремния) наиболее часто используют высокочастотную плазму тетрафторида углерода
(возможно применение гексафторида серы
и фреона-12 -
).
При взаимодействии этих газов с электронами плазмы происходит разложение
и образуются ионы фтора и другие радикалы:
(14)
ПЛОТТЕР , транскрипция английского слова plotter, что означает графопостроитель.
ИКРАМОВ Камил Акмалевич (1927-89) , русский писатель, народный писатель Узбекистана (1987). Сын А. И. Икрамова. Трагическая история семьи, ставшей жертвой сталинских репрессий, в книге воспоминаний "Дело моего отца" (1989). Исторические романы (в т. ч. "Караваны уходят - пути остаются", 1960), повести об Амангельды Иманове "Все возможное счастье" (1979). Роман "Ход вещей" (1982), повесть "Все будет хорошо" (1988). Книги для детей. Рассказы, очерки. Киносценарии.
ЗАПАДНЫЙ БУГ (Буг) , река на Украине, в Белоруссии и Польше, правый приток р. Нарев. 772 км, площадь бассейна 39,4 тыс. км2. Основной приток - Мухавец. Судоходна на 315 км от устья. Соединена каналами с Днепром (Днепровско-Бугским) и Неманом. На Буге - г. Брест (Белоруссия).