Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластинСтраница 15
(11)
Травление кремния в парах сероводорода происходит по реакции:
(12)
При этом получаются большие скорости травления (до 15 мкм/мин). Однако сероводород токсичен. Гексафторид серы, наоборот, не токсичен и обеспечивает хорошее качество поверхности при травлении кремния и сапфира. Травление кремния сопровождается реакцией:
(13)
Газовое травление обеспечивает получение более чистых поверхностей по сравнению с жидкостной, обработкой. Однако его применение ограничено из-за высоких температур процессов и необходимости использования газов особой чистоты.
4.3.3. Ионное травление.
Сущность ионного травления состоит в удалении поверхностных слоев материала при его бомбардировке потоком ионов инертных газов высокой энергии. При этом ускоренные ионы при столкновении с поверхностью пластин или подложек передают их атомам свою энергию и импульс.
* Ионное травление - процесс удаления загрязнений вместе с распыляемым в вакууме поверхностным слоем обрабатываемой поверхности при ее бомбардировке ускоренными ионами инертного газа.
Если во время столкновения энергия, передаваемая атому, превышает энергию химической связи атома в решетке, а импульс, сообщаемый атому, направлен наружу от поверхности, то происходит смещение атомов, их отрыв от поверхности - распыление. Для реализации этого процесса требуются определенные вакуумные условия, а ионы должны обладать определенными значениями энергий, достаточными для распыления материалов.
Разновидностью ионного травления является ионно-химическое (реактивное) травление, основанное на введении в плазму химически активного газа, обычно кислорода. При этом изменяется скорость травления вследствие химического взаимодействия между подложкой и добавленным газом.
4.3.4. Плазмохимическое травление.
В отличие от ионного плазмохимическое травление основано на разрушении обрабатываемого материала ионами активных газов, образующимися в плазме газового разряда и вступающими в химическую реакцию с атомами материала при бомбардировке поверхности пластин или подложек. При этом молекулы газа в разряде распадаются на реакционно-способные частицы - электроны, ионы и свободные радикалы, химически взаимодействующие с травящейся поверхностью. В результате химических реакций образуются летучие соединения.
Для травления кремния и его соединений (оксида и нитрида кремния) наиболее часто используют высокочастотную плазму тетрафторида углерода (возможно применение гексафторида серы и фреона-12 - ).
При взаимодействии этих газов с электронами плазмы происходит разложение и образуются ионы фтора и другие радикалы:
(14)
ИХИ , в египетской мифологии бог музыки, сын Хатхор и Гора. Изображался в виде мальчика с "локоном юности" и музыкальным инструментом - систром.
РЫКУНОВ Лев Николаевич (р . 1928), российский геофизик, член-корреспондент РАН (1991; член-корреспондент АН СССР с 1984). Основные труды в области сейсмологии, сейсмометрии и сейсмотектоники.
ГИТРИ (Guitry) Саша (Александр) (1885-1957) , французский актер, драматург. Литературную деятельность начал в 1901. Представитель т. н. бульварной драматургии: многочисленные легкие комедии, биографические пьесы, в постановках которых выступал как актер. Снимался в кино.