Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластинСтраница 15
(11)
Травление кремния в парах сероводорода происходит по реакции:
(12)
При этом получаются большие скорости травления (до 15 мкм/мин). Однако сероводород токсичен. Гексафторид серы, наоборот, не токсичен и обеспечивает хорошее качество поверхности при травлении кремния и сапфира. Травление кремния сопровождается реакцией:
(13)
Газовое травление обеспечивает получение более чистых поверхностей по сравнению с жидкостной, обработкой. Однако его применение ограничено из-за высоких температур процессов и необходимости использования газов особой чистоты.
4.3.3. Ионное травление.
Сущность ионного травления состоит в удалении поверхностных слоев материала при его бомбардировке потоком ионов инертных газов высокой энергии. При этом ускоренные ионы при столкновении с поверхностью пластин или подложек передают их атомам свою энергию и импульс.
* Ионное травление - процесс удаления загрязнений вместе с распыляемым в вакууме поверхностным слоем обрабатываемой поверхности при ее бомбардировке ускоренными ионами инертного газа.
Если во время столкновения энергия, передаваемая атому, превышает энергию химической связи атома в решетке, а импульс, сообщаемый атому, направлен наружу от поверхности, то происходит смещение атомов, их отрыв от поверхности - распыление. Для реализации этого процесса требуются определенные вакуумные условия, а ионы должны обладать определенными значениями энергий, достаточными для распыления материалов.
Разновидностью ионного травления является ионно-химическое (реактивное) травление, основанное на введении в плазму химически активного газа, обычно кислорода. При этом изменяется скорость травления вследствие химического взаимодействия между подложкой и добавленным газом.
4.3.4. Плазмохимическое травление.
В отличие от ионного плазмохимическое травление основано на разрушении обрабатываемого материала ионами активных газов, образующимися в плазме газового разряда и вступающими в химическую реакцию с атомами материала при бомбардировке поверхности пластин или подложек. При этом молекулы газа в разряде распадаются на реакционно-способные частицы - электроны, ионы и свободные радикалы, химически взаимодействующие с травящейся поверхностью. В результате химических реакций образуются летучие соединения.
Для травления кремния и его соединений (оксида и нитрида кремния) наиболее часто используют высокочастотную плазму тетрафторида углерода
(возможно применение гексафторида серы
и фреона-12 -
).
При взаимодействии этих газов с электронами плазмы происходит разложение
и образуются ионы фтора и другие радикалы:
(14)
КЛИШЕ (франц . cliche), иллюстрационная печатная форма высокой печати. По характеру рисунка подразделяются на штриховые (с рисунков пером, с чертежей и т. п.) и растровые (с фотографий, рисунков акварелью, маслом). Получают травлением (см. Цинкография) или гравированием металла.
ЭРИДАН , в греческой мифологии река в стране гипербореев, на севере или западе Европы. В Эридан упал сраженный молнией Зевса Фаэтон, слезы оплакивавших его сестер - Гелиад превратились в водах реки в янтарь. Эридан часто отождествлялся с реками крайнего запада (Пор, Рона и др.).
КАУШАНЫ , город в Молдавии; см. Кэушень.