ChemStudy

(11)

Травление кремния в парах сероводорода происходит по реакции:

(12)

При этом получаются большие скорости травления (до 15 мкм/мин). Однако сероводород токсичен. Гексафторид серы, наоборот, не токсичен и обеспечивает хорошее качество поверхности при травлении кремния и сапфира. Травление кремния сопровождается реакцией:

(13)

Газовое травление обеспечивает получение более чистых поверхностей по сравнению с жидкостной, обработкой. Однако его применение ограничено из-за высоких температур процессов и необходимости использования газов особой чистоты.

4.3.3. Ионное травление.

Сущность ионного травления состоит в удалении поверхностных слоев материала при его бомбардировке потоком ионов инертных газов высокой энергии. При этом ускоренные ионы при столкновении с поверхностью пластин или подложек передают их атомам свою энергию и импульс.

* Ионное травление - процесс удаления загрязнений вместе с распыляемым в вакууме поверхностным слоем обрабатываемой поверхности при ее бомбардировке ускоренными ионами инертного газа.

Если во время столкновения энергия, передаваемая атому, превышает энергию химической связи атома в решетке, а импульс, сообщаемый атому, направлен наружу от поверхности, то происходит смещение атомов, их отрыв от поверхности - распыление. Для реализации этого процесса требуются определенные вакуумные условия, а ионы должны обладать определенными значениями энергий, достаточными для распыления материалов.

Разновидностью ионного травления является ионно-химическое (реактивное) травление, основанное на введении в плазму химически активного газа, обычно кислорода. При этом изменяется скорость травления вследствие химического взаимодействия между подложкой и добавленным газом.

4.3.4. Плазмохимическое травление.

В отличие от ионного плазмохимическое травление основано на разрушении обрабатываемого материала ионами активных газов, образующимися в плазме газового разряда и вступающими в химическую реакцию с атомами материала при бомбардировке поверхности пластин или подложек. При этом молекулы газа в разряде распадаются на реакционно-способные частицы - электроны, ионы и свободные радикалы, химически взаимодействующие с травящейся поверхностью. В результате химических реакций образуются летучие соединения.

Для травления кремния и его соединений (оксида и нитрида кремния) наиболее часто используют высокочастотную плазму тетрафторида углерода (возможно применение гексафторида серы и фреона-12 - ).

При взаимодействии этих газов с электронами плазмы происходит разложение и образуются ионы фтора и другие радикалы:

(14)

ШИЛАЛЕ (Silale) (до 1917 официальное название Шилели) , город (с 1952) в Литве, в 30 км от ж.-д. ст. Таураге. 6,6 тыс. жителей (1990). Швейная фабрика, пищевые предприятия.

ПАЙНС (Pines) Дейвид (р . 1924), американский физик, иностранный член РАН (1991; иностранный член АН СССР с 1988). Труды по теории ядра (сверхтекучая модель ядра), твердого тела, плазмы, астрофизике, теории рассеяния, высокотемпературной сверхпроводимости. Автор монографий (3 изданы на русском языке).

ОПАВА (Opava) , город в Чехии, на р. Опава. 64 тыс. жителей (1991). Машиностроение, пищевая, текстильная промышленность. Основан в 1224. Был центром Опавского княжества (с 1348 лен чешского короля).