ChemStudy

(19)

и (20)

здесь запись erfc-1 обозначает аргумент z функции erfc.

При решении практических задач, связанных с анализом диффузионных процессов необходимо знать количество примеси Q, накопленной в твердом теле при диффузии в течение времени t. Эта величина определяется по формуле

(21)

где J(0,t) - поток диффузанта в объем через плоскость x=0

(22)

отсюда

(23)

Следует обратить внимание на возрастающее со временем значение накопленной в диффузионном слое примеси при диффузии с данными граничными условиями.

Рассмотренная модель диффузионного процесса с постоянным источником описывает процесс диффузионного легирования полупроводникового материала из газовой или паровой фазы. Этот процесс используется при создании сильно легированных диффузионных слоев (например, эмиттерных) с поверхностными концентрациями No близкими к значениям предельной твердой растворимости примеси в данном полупроводниковом материале.

Твердое тело можно считать полубесконечным ( или бесконечным) в том случае, если его размеры в направлении движения диффузанта много больше длины диффузии.

1.3.3 Распределение примеси при диффузии из слоя конечной толщины (диффузия из ограниченного источника) в полубесконечное тело с отражающей границей.

Диффундирующая примесь поступает в полубесконечное тело из источника, который представляет собой примыкающий к границе тела слой толщиной h, примесь в котором распределена равномерно. Такой источник называют ограниченным. Концентрация примеси в источнике - No. Полагается, что в принимающем диффузант твердом теле нет рассматриваемой примеси.

При абсолютно непроницаемой для диффузанта (отражающей) границе поток примеси через поверхность x=0 должен обращаться в нуль при всех t ³0

для t ³0 (24)

КАПТЕЙН (Kapteyn) Якобус Корнелис (1851-1922) , нидерландский астроном, иностранный член-корреспондент Петербургской АН (1908). Основные труды по звездной астрономии (статистические методы исследования звездного населения Галактики и др.). Разработал (1906) план всестороннего исследования звезд в 206 избранных площадках (т. н. площадки Каптейна).

РАМИ , полукустарник семейства крапивных, выращивают в Китае, Японии, Индии и др. В сухих стеблях до 21% прочного шелковистого волокна.

МАЛВА , плато в Индии, на северо-западе п-ова Индостан. Высота до 614 м.