ChemStudy

Заключение.

В данном курсовом проекте были рассмотрены процесс очистки полупроводникового вещества – зонная плавка и способ введения примеси в полупроводник – диффузия примеси.

Для процесса зонной плавки произведен расчет для трех очищаемых примесей: фосфор, галлий, сурьма. Результаты расчета представлены в виде таблиц и графиков: распределение удельного сопротивления и распределения каждой примеси вдоль слитка кремния после очистки зонной плавкой (один проход расплавленной зоной).

Эффективность очистки зависит от скорости кристаллизации: чем меньше скорость кристаллизации в донной примеси, тем лучше она очищается, таким образом при Vкр®0 kэфф®k0; Vкр®¥ kэфф®1. Но это не означает, что если мы уменьшим скорость кристаллизации до нуля, то получим исходное вещество в чистом виде – это лишь одно из условий очистки вещества. Определяющим является также равновесный коэффициент сегрегации (К0) , который отражает эффективность перераспределения между жидкой и твердой фазой, он должен отличаться от еденицы в большую или меньшую сторону. В нашем случае k0 Sb<k0 Ga<k0 P<1, соответственно сурьма лучше подвергается очистки по сравнению с галлием, а галлий лучше по сравнению с фосфором. Это все подтверждается результатами расчета – распределением концентраций каждой примеси вдоль слитка кремния после очистки зонной плавкой.

Анализ второй части расчета – метод введения и перераспределения примеси – диффузии показывает, что при условии бесконечного источника примеси на поверхности пластины и одинаковом времени диффузии профиль распределения примеси в полупроводнике будет различен при нескольких температурах. Таким образом изменяя температурный режим можно изменить профиль распределения примеси в глубину полупроводника.

"РУССКИЙ ЯЗЫК" , издательство, Москва. Основано в 1974. Литература для иностранцев, изучающих русский язык, филологические и научно-технические словари и др.

ЯРОВ Юрий Федорович (р . 1942), российский государственный деятель, заместитель председателя правительства Российской Федерации с декабря 1992. С 1964 на инженерно-технической работе. С 1978 директор электромеханического завода "Буревестник" (Гатчина). С 1985 1-й секретарь Гатчинского горкома КПСС. В 1987-91 заместитель председателя исполкома, председатель Ленинградского облсовета. В 1991-92 заместитель председателя ВС Российской Федерации.

ФАНТАСТРОН , импульсный генератор, вырабатывающий электрические колебания пилообразной формы с очень малым коэффициентом нелинейности. Возбуждается по сигналу извне. Модификация фантастрона - санатрон.