Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Страница 19

Заключение.

В данном курсовом проекте были рассмотрены процесс очистки полупроводникового вещества – зонная плавка и способ введения примеси в полупроводник – диффузия примеси.

Для процесса зонной плавки произведен расчет для трех очищаемых примесей: фосфор, галлий, сурьма. Результаты расчета представлены в виде таблиц и графиков: распределение удельного сопротивления и распределения каждой примеси вдоль слитка кремния после очистки зонной плавкой (один проход расплавленной зоной).

Эффективность очистки зависит от скорости кристаллизации: чем меньше скорость кристаллизации в донной примеси, тем лучше она очищается, таким образом при Vкр®0 kэфф®k0; Vкр®¥ kэфф®1. Но это не означает, что если мы уменьшим скорость кристаллизации до нуля, то получим исходное вещество в чистом виде – это лишь одно из условий очистки вещества. Определяющим является также равновесный коэффициент сегрегации (К0) , который отражает эффективность перераспределения между жидкой и твердой фазой, он должен отличаться от еденицы в большую или меньшую сторону. В нашем случае k0 Sb<k0 Ga<k0 P<1, соответственно сурьма лучше подвергается очистки по сравнению с галлием, а галлий лучше по сравнению с фосфором. Это все подтверждается результатами расчета – распределением концентраций каждой примеси вдоль слитка кремния после очистки зонной плавкой.

Анализ второй части расчета – метод введения и перераспределения примеси – диффузии показывает, что при условии бесконечного источника примеси на поверхности пластины и одинаковом времени диффузии профиль распределения примеси в полупроводнике будет различен при нескольких температурах. Таким образом изменяя температурный режим можно изменить профиль распределения примеси в глубину полупроводника.

Страницы: 15 16 17 18 19 20

"ШИПОВНИК" , издательство. Основано в 1906 в Санкт-Петербурге, в 1917-22 - в Москве. Художественная литература (преимущественно произведения русских писателей-символистов и зарубежных авторов), книги по философии, искусству, театру, главным образом модернистского направления; альманахи "Шиповник".

ШТЕРНФЕЛЬД Арий Абрамович (1905-80) , российский ученый. Заслуженный деятель науки России (1965), один из пионеров космонавтики. До 1935 жил в Польше и Франции, затем переехал в СССР. Труды связаны с расчетом наивыгоднейших траекторий полета космических аппаратов. Автор книги "Введение в космонавтику" (1937), в которой изложены научно-физические основы космического полета.

УНИПОЛЯРНЫЙ ГЕНЕРАТОР , бесколлекторная электрическая машина постоянного тока, действие которой основано на явлении униполярной индукции. Униполярный генератор позволяет получать постоянный ток большой величины (до 105 А) низкого напряжения (десятки В). Применяется в гальванотехнике, электросварке, в установках электроискровой обработки и т. д.