Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Страница 19

Заключение.

В данном курсовом проекте были рассмотрены процесс очистки полупроводникового вещества – зонная плавка и способ введения примеси в полупроводник – диффузия примеси.

Для процесса зонной плавки произведен расчет для трех очищаемых примесей: фосфор, галлий, сурьма. Результаты расчета представлены в виде таблиц и графиков: распределение удельного сопротивления и распределения каждой примеси вдоль слитка кремния после очистки зонной плавкой (один проход расплавленной зоной).

Эффективность очистки зависит от скорости кристаллизации: чем меньше скорость кристаллизации в донной примеси, тем лучше она очищается, таким образом при Vкр®0 kэфф®k0; Vкр®¥ kэфф®1. Но это не означает, что если мы уменьшим скорость кристаллизации до нуля, то получим исходное вещество в чистом виде – это лишь одно из условий очистки вещества. Определяющим является также равновесный коэффициент сегрегации (К0) , который отражает эффективность перераспределения между жидкой и твердой фазой, он должен отличаться от еденицы в большую или меньшую сторону. В нашем случае k0 Sb<k0 Ga<k0 P<1, соответственно сурьма лучше подвергается очистки по сравнению с галлием, а галлий лучше по сравнению с фосфором. Это все подтверждается результатами расчета – распределением концентраций каждой примеси вдоль слитка кремния после очистки зонной плавкой.

Анализ второй части расчета – метод введения и перераспределения примеси – диффузии показывает, что при условии бесконечного источника примеси на поверхности пластины и одинаковом времени диффузии профиль распределения примеси в полупроводнике будет различен при нескольких температурах. Таким образом изменяя температурный режим можно изменить профиль распределения примеси в глубину полупроводника.

Страницы: 15 16 17 18 19 20

ГАНН (Gunn) Джон (р . 1928), физик. Родился в Каире, с 1959 работает в США. Труды по физике полупроводников, полупроводниковым приборам, автоматике. Открыл и исследовал эффект, названный его именем.

ФАРИСЕИ (греч . pharisaioi, от др.-евр. перушим - отделившиеся), представители общественно-религиозного течения в Иудее во 2 в. до н. э. - 2 в. н. э. Фарисеи - создатели Устного учения (закона), зафиксированного в Мишне (см. в ст. Талмуд). В Евангелиях фариссев называют лицемерами. Отсюда переносное значение слова - лицемер, ханжа.

ТЕЛЕГРАФНАЯ СЕТЬ , комплекс технических сооружений и оборудования, предназначенный для осуществления телеграфной связи и состоящий из телеграфных предприятий (узлов связи), соединяющих их каналов связи и телеграфных станций, служащих для коммутации этих каналов. В Российской Федерации телеграфная сеть включает в себя сети: общего пользования, абонентского телеграфирования и факсимильной связи. Вся территория России разделена на несколько зон, в каждой из которых имеется свой главный узел, областные и районные узлы.