Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Страница 20

Литература.

1. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. - М.: Радио и связь, 1991. -528 с.

2. Шишлянников Б.М. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. Методические указания к курсовому проектированию для студентов направления 550700. Новгород, 1998. – 41с.

3. Нашельский А.Я. Технология полупроводниковых материалов. - М.: Металлургия, 1972. - 432 с.

4. Реньян В.Р. Технология полупроводникового кремния / Пер. с англ. - М.: Металлургия, 1969. - 336 с.

5. МОП СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов /Под ред. П. Антонетти и др.; Пер. с англ. - М.: Радио и связь. 1988. - 496 с.

Страницы: 16 17 18 19 20 

ПОЧАТОК , в текстильном производстве, см. Паковка.

АНАФОРА (греч . anaphora, букв. - вынесение), стилистическая фигура; повторение начальных частей (звуков, слов, синтаксических или ритмических построений) смежных отрезков речи (слов, строк, строф, фраз): "Город пышный, город бедный..." (А. С. Пушкин).

БЭРА ЗАКОН: реки , текущие в направлении меридиана, в Северном полушарии подмывают правый берег, в Южном - левый. Объясняется влиянием суточного вращения Земли на движение частиц воды в реке. Сформулирован К. М. Бэром в 1857.