Химическая Термодинамика Химическая ТермодинамикаСтраница 6
2. Разность энтальпий сложного вещества обратна по знаку и равна тепловому эффекту при постоянном давлении (
) реакции его образования из простых веществ в состоянии, устойчивой при стандартных условиях, т.е. энтальпии образования. Например: 
¾ 241,8 кДж/моль; 
+ 90,37 кДж/моль.
В настоящее время стандартные разности энтальпий (ΔН0) и их зависимости от температуры (
) можно найти в справочной литературе для очень большого числа неорганических и органических соединений.
Термохимические расчеты с использованием табличных данных значительно упростились. Рассмотрим пример расчета разности энтальпий химической реакции в общем виде для уравнения
aA+bB=cC+dD
где А, В, С, D — символы реагирующих веществ: а, Ь, с, d — стехиометрические коэффициенты.
Исходные вещества (аА+bВ) соответствуют начальному состоянию системы, и сумма их энтальпий вычитается, так как они в результате процесса исчезают, конечные продукты (cC+dD), составляющие конечную систему, появляются в процессе, и их энтальпии входят со знаком плюс. Если данное вещество в уравнение химической реакции входит с коэффициентом, отличным от единицы, то при суммировании энтальпий эти коэффициенты надо взять как множители.
Во избежание возможных ошибок надо суммирование энтальпий производить непосредственно под уравнением химической реакции
aA+bB=cC+dD
Подставляя значения энтальпий из справочной литературы, находим 
реакции.
Чтобы получить разность энтальпий реакций для более высоких температур, чем стандартные, используют зависимость разности энтальпий от температуры и учитывают при этом изменения энергии, потребной для нагрева данных веществ и для изменения их фазовых состояний:
УРВАН Антиохийский (ум . 251), христианский мученик, отрок, пострадавший в гонение императора Деция. Память в Православной церкви 4 (17) сентября.
ШУМАУСКАС (Sumauskas) Мотеюс Юозович (1905-82) , литовский политический деятель, Герой Социалистического Труда (1975). В 1925-40 на подпольной работе в Литве. С 1956 председатель Совета Министров Литовской ССР.
ГАНН (Gunn) Джон (р . 1928), физик. Родился в Каире, с 1959 работает в США. Труды по физике полупроводников, полупроводниковым приборам, автоматике. Открыл и исследовал эффект, названный его именем.