Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Страница 2

Введение.

Каждое вещество может находится в состоянии которое характеризуется содержанием примеси в нем ниже некоторого определенного предела. Предел определяется различными условиями связанными со свойствами, областью применения веществ. Для полупроводниковых материалов достижения собственных свойств или близких к ним является тем необходимым пределом до которого материалы должны очищаться. При обосновании необходимой очистки нужно руководствоваться и экономической целесообразности очистки.

Для очистки полупроводниковых материалов в технологии микроэлектронных устройств используется метод зонной плавки (перекристаллизация). В некоторых случаях в технологии полупроводниковых материалов выращивают монокристаллы методом зонной плавки. Достоинством метода является совмещение процесса глубокой очистки полупроводника с последующим выращиванием его монокристалла. В технологии разлагающихся полупроводниковых соединений применение этого метода позволяет совмещать в одном технологическом цикле сразу три операции: синтез, очистку синтезированного соединения и выращивание его монокристалла.

Для введения в полупроводник примеси используется процесс диффузии. Для изготовления p-n переходов используется химическая диффузия примесных (растворимых) атомов, которые вводятся в кристаллическую решетку для изменения ее электрофизических свойств. Кроме того диффузия используется для перераспределения примеси в полупроводнике.

1.Расчетная часть.

1.1 Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель.

Очистку полупроводниковых материалов методом зонной плавки предложил в 1952 году Пфанн. В связи с различной растворимостью примесей в твердой и жидкой фазах зонная плавка является одним из наиболее эффективных и производительных методов глубокой очистки монокристаллов. При его реализации перед началом кристаллизации расплавляется не вся твердая фаза кристалла (рис.1 ), а только узкая расплавленная зона, которую перемещают вдоль слитка.

Страницы: 1 2 3 4 5 6

ХЕЙРЕ (Хойре) (Hoyre , Hoire), политическая партия Норвегии. Организационно оформилась в 1884. В 1884-1928 неоднократно формировала правительства.

ДЖОНС Иниго (1573-1652) , английский архитектор. Представитель палладианства. Утверждал в английской архитектуре ясность композиции и благородство пропорций классического зодчества (вилла королевы в Гринвиче, 1616-35).

ИМПУЛЬС НЕРВНЫЙ , волна возбуждения, распространяющаяся по нервному волокну. Возникает при раздражении нервных клеток (нейронов). Передает сигналы от периферических чувствительных нервных окончаний (рецепторов) в центральную нервную систему и от нее к исполнительным органам (мышцам, железам). В основе нервных импульсов лежат электрохимические реакции. Скорость проведения от 0,5 до 120 м/с. С нейрона на нейрон нервные импульсы передаются через синапсы.