Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Страница 2

Введение.

Каждое вещество может находится в состоянии которое характеризуется содержанием примеси в нем ниже некоторого определенного предела. Предел определяется различными условиями связанными со свойствами, областью применения веществ. Для полупроводниковых материалов достижения собственных свойств или близких к ним является тем необходимым пределом до которого материалы должны очищаться. При обосновании необходимой очистки нужно руководствоваться и экономической целесообразности очистки.

Для очистки полупроводниковых материалов в технологии микроэлектронных устройств используется метод зонной плавки (перекристаллизация). В некоторых случаях в технологии полупроводниковых материалов выращивают монокристаллы методом зонной плавки. Достоинством метода является совмещение процесса глубокой очистки полупроводника с последующим выращиванием его монокристалла. В технологии разлагающихся полупроводниковых соединений применение этого метода позволяет совмещать в одном технологическом цикле сразу три операции: синтез, очистку синтезированного соединения и выращивание его монокристалла.

Для введения в полупроводник примеси используется процесс диффузии. Для изготовления p-n переходов используется химическая диффузия примесных (растворимых) атомов, которые вводятся в кристаллическую решетку для изменения ее электрофизических свойств. Кроме того диффузия используется для перераспределения примеси в полупроводнике.

1.Расчетная часть.

1.1 Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель.

Очистку полупроводниковых материалов методом зонной плавки предложил в 1952 году Пфанн. В связи с различной растворимостью примесей в твердой и жидкой фазах зонная плавка является одним из наиболее эффективных и производительных методов глубокой очистки монокристаллов. При его реализации перед началом кристаллизации расплавляется не вся твердая фаза кристалла (рис.1 ), а только узкая расплавленная зона, которую перемещают вдоль слитка.

Страницы: 1 2 3 4 5 6

ЕЖОВ Валентин Иванович (р . 1921), российский сценарист, заслуженный деятель искусств России (1976). Фильмы: "Баллада о солдате" (1959, с Г. Н. Чухраем), "Крылья" (1966, с Н. Б. Рязанцевой), "Белое солнце пустыни" (1970, с Р. Ибрагимбековым), "Это сладкое слово - свобода" (1973, с В. П. Жалакявичюсом), "Красные колокола" (1982, с С. Ф. Бондарчуком) и др. Ленинская премия (1961).

ШТЕЙНА - ГАРДЕНБЕРГА РЕФОРМЫ , в Пруссии в 1807-14; осуществлены правительствами во главе с Г. Штейном и К. Гарденбергом: провозглашение личной свободы крестьян, выкупа крестьянами повинностей за уступку помещику от 1/3 до 1/2 их надела, фактическое введение всеобщей воинской повинности и др.

СТОРК (Storck) Анри (р . 1907), бельгийский кинорежиссер. Фильмы: этнографический "Остров Пасхи" (1935), об изобразительном искусстве "Образы старой Бельгии" (1936) и "Рубенс" (1948, с П. Хасартсом, P. Haesaerts), "Бельгийские праздники" (1972) и др.