Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Страница 2

Введение.

Каждое вещество может находится в состоянии которое характеризуется содержанием примеси в нем ниже некоторого определенного предела. Предел определяется различными условиями связанными со свойствами, областью применения веществ. Для полупроводниковых материалов достижения собственных свойств или близких к ним является тем необходимым пределом до которого материалы должны очищаться. При обосновании необходимой очистки нужно руководствоваться и экономической целесообразности очистки.

Для очистки полупроводниковых материалов в технологии микроэлектронных устройств используется метод зонной плавки (перекристаллизация). В некоторых случаях в технологии полупроводниковых материалов выращивают монокристаллы методом зонной плавки. Достоинством метода является совмещение процесса глубокой очистки полупроводника с последующим выращиванием его монокристалла. В технологии разлагающихся полупроводниковых соединений применение этого метода позволяет совмещать в одном технологическом цикле сразу три операции: синтез, очистку синтезированного соединения и выращивание его монокристалла.

Для введения в полупроводник примеси используется процесс диффузии. Для изготовления p-n переходов используется химическая диффузия примесных (растворимых) атомов, которые вводятся в кристаллическую решетку для изменения ее электрофизических свойств. Кроме того диффузия используется для перераспределения примеси в полупроводнике.

1.Расчетная часть.

1.1 Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель.

Очистку полупроводниковых материалов методом зонной плавки предложил в 1952 году Пфанн. В связи с различной растворимостью примесей в твердой и жидкой фазах зонная плавка является одним из наиболее эффективных и производительных методов глубокой очистки монокристаллов. При его реализации перед началом кристаллизации расплавляется не вся твердая фаза кристалла (рис.1 ), а только узкая расплавленная зона, которую перемещают вдоль слитка.

Страницы: 1 2 3 4 5 6

ХОМСКИЙ Павел Осипович (р . 1925), российский режиссер, народный артист России (1980). В 1957-59 главный режиссер Латвийского театра юного зрителя, в 1961-65 главный режиссер Ленинградского театра им. Ленинского комсомола, в 1965-73 главный режиссер Московского театра юного зрителя. С 1973 режиссер, с 1984 главный режиссер Театра им. Моссовета. Преподает в ГИТИСе с 1986 (профессор с 1987).

ГЛАЗЕР (Глейзер) (Glaser) Доналд Артур (р . 1926), американский физик. Создал (1952) пузырьковую камеру для регистрации заряженных частиц. Нобелевская премия (1960).

ФИЗО (Fizeau) Арман Ипполит Луи (1819-1896) , французский физик. Первым измерил (1849) скорость света земного источника. Определил (1851) скорость света в движущейся жидкости и показал, что свет частично увлекается движущейся средой (опыт Физо).