Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Страница 2

Введение.

Каждое вещество может находится в состоянии которое характеризуется содержанием примеси в нем ниже некоторого определенного предела. Предел определяется различными условиями связанными со свойствами, областью применения веществ. Для полупроводниковых материалов достижения собственных свойств или близких к ним является тем необходимым пределом до которого материалы должны очищаться. При обосновании необходимой очистки нужно руководствоваться и экономической целесообразности очистки.

Для очистки полупроводниковых материалов в технологии микроэлектронных устройств используется метод зонной плавки (перекристаллизация). В некоторых случаях в технологии полупроводниковых материалов выращивают монокристаллы методом зонной плавки. Достоинством метода является совмещение процесса глубокой очистки полупроводника с последующим выращиванием его монокристалла. В технологии разлагающихся полупроводниковых соединений применение этого метода позволяет совмещать в одном технологическом цикле сразу три операции: синтез, очистку синтезированного соединения и выращивание его монокристалла.

Для введения в полупроводник примеси используется процесс диффузии. Для изготовления p-n переходов используется химическая диффузия примесных (растворимых) атомов, которые вводятся в кристаллическую решетку для изменения ее электрофизических свойств. Кроме того диффузия используется для перераспределения примеси в полупроводнике.

1.Расчетная часть.

1.1 Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель.

Очистку полупроводниковых материалов методом зонной плавки предложил в 1952 году Пфанн. В связи с различной растворимостью примесей в твердой и жидкой фазах зонная плавка является одним из наиболее эффективных и производительных методов глубокой очистки монокристаллов. При его реализации перед началом кристаллизации расплавляется не вся твердая фаза кристалла (рис.1 ), а только узкая расплавленная зона, которую перемещают вдоль слитка.

Страницы: 1 2 3 4 5 6

ПРОНЯ , река в центре европейской части России, правый приток Оки. 336 км, площадь бассейна 10,2 тыс. км2. Средний расход воды ок. 50 м3/с. Судоходна в низовьях. На Проне - Пронское вдхр., г. Михайлов.

УМБРИЙСКАЯ ШКОЛА , итальянская школа живописи 13-16 вв. с центром в г. Перуджа. В 13 в. - расцвет изысканной миниатюры, в 14 - 15 вв. - поздней готики (Джентиле да Фабриано). Во 2-й пол. 15 - 16 вв. утвердились принципы реалистического искусства Возрождения (П. Перуджино, Л. Синьорелли, Пинтуриккьо); характерные черты - лиричность образов, поэтизация природы, мягкость колорита.

ИНОСТРАННЫЕ ВОЕННЫЕ ФОРМИРОВАНИЯ в СССР , чехословацкие, польские, румынские, югославские, французские части, соединения и объединения, сформированные на территории и с помощью СССР в годы Великой Отечественной войны и участвовавшие в вооруженной борьбе на советско-германском фронте. Всего было сформировано 2 армии, 3 армейских, танковый и авиционный корпуса, 30 различных дивизий, 31 бригада, 182 полка и др. (общей численностью св. 550 тыс. человек).