Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Страница 2

Введение.

Каждое вещество может находится в состоянии которое характеризуется содержанием примеси в нем ниже некоторого определенного предела. Предел определяется различными условиями связанными со свойствами, областью применения веществ. Для полупроводниковых материалов достижения собственных свойств или близких к ним является тем необходимым пределом до которого материалы должны очищаться. При обосновании необходимой очистки нужно руководствоваться и экономической целесообразности очистки.

Для очистки полупроводниковых материалов в технологии микроэлектронных устройств используется метод зонной плавки (перекристаллизация). В некоторых случаях в технологии полупроводниковых материалов выращивают монокристаллы методом зонной плавки. Достоинством метода является совмещение процесса глубокой очистки полупроводника с последующим выращиванием его монокристалла. В технологии разлагающихся полупроводниковых соединений применение этого метода позволяет совмещать в одном технологическом цикле сразу три операции: синтез, очистку синтезированного соединения и выращивание его монокристалла.

Для введения в полупроводник примеси используется процесс диффузии. Для изготовления p-n переходов используется химическая диффузия примесных (растворимых) атомов, которые вводятся в кристаллическую решетку для изменения ее электрофизических свойств. Кроме того диффузия используется для перераспределения примеси в полупроводнике.

1.Расчетная часть.

1.1 Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель.

Очистку полупроводниковых материалов методом зонной плавки предложил в 1952 году Пфанн. В связи с различной растворимостью примесей в твердой и жидкой фазах зонная плавка является одним из наиболее эффективных и производительных методов глубокой очистки монокристаллов. При его реализации перед началом кристаллизации расплавляется не вся твердая фаза кристалла (рис.1 ), а только узкая расплавленная зона, которую перемещают вдоль слитка.

Страницы: 1 2 3 4 5 6

ХАЙДЕГГЕР (Heidegger) Мартин (1889-1976) , немецкий философ, один из основоположников немецкого экзистенциализма. Развил учение о бытии ("фундаментальная онтология"), в основе которого противопоставление подлинного существования (экзистенции) и мира повседневности, обыденности; постижение смысла бытия связано, по Хайдеггеру, с осознанием бренности человеческого существования ("Бытие и время", 1927). Темы работ позднего Хайдеггера - происхождение "метафизического" способа мышления, поиск пути к "истине бытия".

ОСАДКОНАКОПЛЕНИЕ (седиментация) , образование всех видов отложений на поверхности Земли при переходе осаждаемого вещества из подвижного, взвешенного или растворенного (в воздушной или водной среде) в неподвижное (осадок) состояние. Осадконакопление происходит на дне рек, озер, морей и океанов и на поверхности суши.

МКРТЧЯН Мгер (Фрунзе) Мушегович (1930-93) , армянский актер, народный артист СССР (1984). С 1956 в Театре им. Сундукяна (Ереван). Снимался в фильмах: "Треугольник", "Наапет", "Мимино", "Солдат и слон", "Одиноким предоставляется общежитие". Государственная премия СССР (1978).