ChemStudy

Введение.

Каждое вещество может находится в состоянии которое характеризуется содержанием примеси в нем ниже некоторого определенного предела. Предел определяется различными условиями связанными со свойствами, областью применения веществ. Для полупроводниковых материалов достижения собственных свойств или близких к ним является тем необходимым пределом до которого материалы должны очищаться. При обосновании необходимой очистки нужно руководствоваться и экономической целесообразности очистки.

Для очистки полупроводниковых материалов в технологии микроэлектронных устройств используется метод зонной плавки (перекристаллизация). В некоторых случаях в технологии полупроводниковых материалов выращивают монокристаллы методом зонной плавки. Достоинством метода является совмещение процесса глубокой очистки полупроводника с последующим выращиванием его монокристалла. В технологии разлагающихся полупроводниковых соединений применение этого метода позволяет совмещать в одном технологическом цикле сразу три операции: синтез, очистку синтезированного соединения и выращивание его монокристалла.

Для введения в полупроводник примеси используется процесс диффузии. Для изготовления p-n переходов используется химическая диффузия примесных (растворимых) атомов, которые вводятся в кристаллическую решетку для изменения ее электрофизических свойств. Кроме того диффузия используется для перераспределения примеси в полупроводнике.

1.Расчетная часть.

1.1 Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель.

Очистку полупроводниковых материалов методом зонной плавки предложил в 1952 году Пфанн. В связи с различной растворимостью примесей в твердой и жидкой фазах зонная плавка является одним из наиболее эффективных и производительных методов глубокой очистки монокристаллов. При его реализации перед началом кристаллизации расплавляется не вся твердая фаза кристалла (рис.1 ), а только узкая расплавленная зона, которую перемещают вдоль слитка.

ПРАГА (Praha) , столица Чехии, административный центр Среднечешской обл. Расположена на р. Влтава. 1,2 млн. жителей (1991). Важный транспортный, промышленный и культурный центр страны. Международный аэропорт. Машиностроение (станкостроение, транспортное, электротехническое и др.), химическая, текстильная, швейная, полиграфическая, пищевая промышленность. Метрополитен. Карлов университет, Университет им. 17 ноября, Высшее техническое училище и многие др. Академии: наук, изящных искусств, изобразительных искусств, библиотеки, Национальный и другие театры. Национальная галерея, Национальный музей, Художественно-промышленный музей и др. Территория Праги заселена с 4-го тыс. до н. э. В 5 в. до н. э. население - бойи, в 6 в. н. э. - славяне. С 10 в. столица Чешского государства. В 973 основное епископство (с 1344 архиепископство). С 1918 столица Чехословацкой республики. В марте 1939 оккупирована немецко-фашистскими войсками. 9 мая 1945 освобождена Советской Армией. Историческое ядро города - Пражский Град с готическим собором св. Вита (14-20 вв.) и королевским дворцом (12-18 вв.). Дворец Бельведер в стиле ренессанса (16 в.). Многочисленные постройки в стилях готики и барокко. Постройки кон. 19 в. в духе эклектики (Национальный музей, Национальный театр). Современные общественные здания (Политехнический институт и др.).

ОЛДРИН (Aldrin) Эдвин (р . 1930), космонавт США, доктор наук, полковник ВВС в отставке. Полет на "Джемини-12" (ноябрь 1966). Первый в истории полет на Луну на "Аполлоне-11" и выход на ее поверхность (июль 1969).

СПУТНИКОВАЯ МЕТЕОРОЛОГИЯ , исследование атмосферных процессов планетарного масштаба с помощью искусственных спутников Земли, специально оборудованных и выведенных на определенные орбиты.