Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легированииСтраница 1
Реферат.
В курсовом проекте производится расчет распределения примеси вдоль слитка кремния зонной плавкой. Расчет производится для трех примесей (Ga,P и Sb) для трех скоростей (Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин). Кроме того расчет распределения Ga в кремнии после диффузионного отжига при различных условиях диффузии.
Курсовая работа содержит графики распределения примеси как при зонной плавке, так и при диффузии.
Содержание.
|
Введение………………………………………………………………… |
5 | |
|
1. |
Расчетная часть……………………………………………………… |
6 |
|
1.1 |
Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель…… |
6 |
|
1.2 |
Расчет распределения примеси вдоль слитка кремния после зонной плавки (один проход расплавленной зоной)……………………… |
10 |
|
1.2.1 |
Расчет распределения Si-Ga…………………………………………… |
10 |
|
1.2.2 |
Расчет распределения Si-P…………………………………………… . |
13 |
|
1.2.3 |
Расчет распределения Si-Sb……………………………………………. |
14 |
|
1.3 |
Распределение примесей после диффузии……………………………. |
18 |
|
1.3.1 |
Распределение примеси при диффузии из полубесконечного пространства (диффузия из концентрационного порога)……………… |
21 |
|
1.3.2 |
Распределение примеси при диффузии из постоянного источника в полубесконечное тело………………………………………………… |
22 |
|
1.3.3 |
Распределение примеси при диффузии из слоя конечной толщины (диффузия из ограниченного источника) в полубесконечное тело с отражающей границей…………………………………………………. |
24 |
|
1.3.4 |
Распределение примеси при диффузии из бесконечно тонкого слоя в полубесконечное тело с отражающей границей…………………… |
25 |
|
1.4 |
Расчет распределения примеси после диффузионного легирования. |
28 |
|
1.4.1 |
Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии 30мин……… |
28 |
|
1.4.2 |
Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины при Т=9500 С, и времени диффузии 30 мин………………. |
29 |
|
1.4.3 |
Распределение примеси после перераспределения примеси накопленной в приповерхностном слое полупроводника при Т=950ОС и времени диффузии 30мин. Условие перераспределения полностью отражающая граница. Т=1150ОС, время 2 часа………………………. |
30 |
|
Заключение…………………………………………………………… . |
32 | |
|
Литература…………………………………………………………… |
33 | |
АБСУРД (от лат . absurdus - нелепый), бессмыслица, нелепость.
ИЛЮМЖИНОВ Кирсан Николаевич (р . 1962), российский государственный деятель, президент Республики Калмыкия (1994). В 1990-93 президент корпорации "Сан". В 1991-93 народный депутат Российской Федерации, член Верховного Совета. В 1993-95 депутат Совета Федерации Федерального Собрания Российской Федерации. С 1995 член Совета Федерации. С 1996 президент ФИДЕ.
ЭРЕБРУ (Orebro) , город в Швеции, на оз. Ельмарен, административный центр лена Эребру. 123 тыс. жителей (1993). Машиностроение, бумажная, обувная промышленность. Университет.