Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легированииСтраница 1
Реферат.
В курсовом проекте производится расчет распределения примеси вдоль слитка кремния зонной плавкой. Расчет производится для трех примесей (Ga,P и Sb) для трех скоростей (Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин). Кроме того расчет распределения Ga в кремнии после диффузионного отжига при различных условиях диффузии.
Курсовая работа содержит графики распределения примеси как при зонной плавке, так и при диффузии.
Содержание.
|
Введение………………………………………………………………… |
5 | |
|
1. |
Расчетная часть……………………………………………………… |
6 |
|
1.1 |
Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель…… |
6 |
|
1.2 |
Расчет распределения примеси вдоль слитка кремния после зонной плавки (один проход расплавленной зоной)……………………… |
10 |
|
1.2.1 |
Расчет распределения Si-Ga…………………………………………… |
10 |
|
1.2.2 |
Расчет распределения Si-P…………………………………………… . |
13 |
|
1.2.3 |
Расчет распределения Si-Sb……………………………………………. |
14 |
|
1.3 |
Распределение примесей после диффузии……………………………. |
18 |
|
1.3.1 |
Распределение примеси при диффузии из полубесконечного пространства (диффузия из концентрационного порога)……………… |
21 |
|
1.3.2 |
Распределение примеси при диффузии из постоянного источника в полубесконечное тело………………………………………………… |
22 |
|
1.3.3 |
Распределение примеси при диффузии из слоя конечной толщины (диффузия из ограниченного источника) в полубесконечное тело с отражающей границей…………………………………………………. |
24 |
|
1.3.4 |
Распределение примеси при диффузии из бесконечно тонкого слоя в полубесконечное тело с отражающей границей…………………… |
25 |
|
1.4 |
Расчет распределения примеси после диффузионного легирования. |
28 |
|
1.4.1 |
Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии 30мин……… |
28 |
|
1.4.2 |
Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины при Т=9500 С, и времени диффузии 30 мин………………. |
29 |
|
1.4.3 |
Распределение примеси после перераспределения примеси накопленной в приповерхностном слое полупроводника при Т=950ОС и времени диффузии 30мин. Условие перераспределения полностью отражающая граница. Т=1150ОС, время 2 часа………………………. |
30 |
|
Заключение…………………………………………………………… . |
32 | |
|
Литература…………………………………………………………… |
33 | |
АГРИППИНА Римляныня (ум . между 253-260), христианская мученица, пострадавшая в Риме в гонение императора Валериана. Память в Православной и в Католической церкви 23 июня.
ИОНЕСКО (Ionesco) Эжен (1912-94) , французский драматург. Выходец из Румынии. Один из зачинателей абсурда драмы. В эксцентрически-гротесковых пьесах-притчах "Урок" (1951), "Лысая певица" (1950), "Носорог" (1959), "Воздушный пешеход" (1963), "Макбет" (1972) - ощущение кошмара, бессмысленности человеческой жизни; утверждение иррационализма общественного развития сочетается с критикой конформистского сознания (в "Носороге" - тоталитаризма). Роман "Отшельник" (1973). Книга "Театр" (новое издание, т. 1-5, 1962-74). Воспоминания, эссе.
АЛИ-БЕЙ АЛЬ-КАБИР (1728-73) , мамлюкский правитель Египта с 1757 (с 1770 султан). В период русско-турецкой войны 1768-74 выслал турецкого пашу (1768), провозгласил (1770) независимость Египта и начал войну с Турцией. В 1772 был свергнут мамлюкскими беями, противниками борьбы с Турцией, и бежал в Палестину.