Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Страница 1

Реферат.

В курсовом проекте производится расчет распределения примеси вдоль слитка кремния зонной плавкой. Расчет производится для трех примесей (Ga,P и Sb) для трех скоростей (Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин). Кроме того расчет распределения Ga в кремнии после диффузионного отжига при различных условиях диффузии.

Курсовая работа содержит графики распределения примеси как при зонной плавке, так и при диффузии.

Содержание.

 

Введение…………………………………………………………………

5

1.

Расчетная часть………………………………………………………

6

1.1

Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель……

6

1.2

Расчет распределения примеси вдоль слитка кремния после зонной плавки (один проход расплавленной зоной)………………………

10

1.2.1

Расчет распределения Si-Ga……………………………………………

10

1.2.2

Расчет распределения Si-P…………………………………………… .

13

1.2.3

Расчет распределения Si-Sb…………………………………………….

14

1.3

Распределение примесей после диффузии…………………………….

18

1.3.1

Распределение примеси при диффузии из полубесконечного пространства (диффузия из концентрационного порога)………………

21

1.3.2

Распределение примеси при диффузии из постоянного источника в полубесконечное тело…………………………………………………

22

1.3.3

Распределение примеси при диффузии из слоя конечной толщины (диффузия из ограниченного источника) в полубесконечное тело с отражающей границей………………………………………………….

24

1.3.4

Распределение примеси при диффузии из бесконечно тонкого слоя в полубесконечное тело с отражающей границей……………………

25

1.4

Расчет распределения примеси после диффузионного легирования.

28

1.4.1

Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии 30мин………

28

1.4.2

Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины при Т=9500 С, и времени диффузии 30 мин……………….

29

1.4.3

Распределение примеси после перераспределения примеси накопленной в приповерхностном слое полупроводника при Т=950ОС и времени диффузии 30мин. Условие перераспределения полностью отражающая граница. Т=1150ОС, время 2 часа……………………….

30

 

Заключение…………………………………………………………… .

32

 

Литература……………………………………………………………

33

     
Страницы: 1 2 3 4 5

ЕГИПТОЛОГИЯ , область востоковедения, изучающая язык и письмо, историю, культуру и археологические памятники Др. Египта.

ПРОНЯ , река в центре европейской части России, правый приток Оки. 336 км, площадь бассейна 10,2 тыс. км2. Средний расход воды ок. 50 м3/с. Судоходна в низовьях. На Проне - Пронское вдхр., г. Михайлов.

ЮЖНОЕ ПАССАТНОЕ ТЕЧЕНИЕ , теплое поверхностное течение южных тропических широт Мирового ок., направленное с востока на запад. Возникает под действием пассатов. В Тихом ок. является продолжением Перуанского течения, в Атлантическом ок. - Бенгельского течения, в Индийском ок. - Западно-Австралийского течения, которые переходят в Юж. Пассатное течение при подходе к экватору и отклонении их направления на запад.