Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легированииСтраница 1
Реферат.
В курсовом проекте производится расчет распределения примеси вдоль слитка кремния зонной плавкой. Расчет производится для трех примесей (Ga,P и Sb) для трех скоростей (Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин). Кроме того расчет распределения Ga в кремнии после диффузионного отжига при различных условиях диффузии. rankuity.com
Курсовая работа содержит графики распределения примеси как при зонной плавке, так и при диффузии.
Содержание.
|
Введение………………………………………………………………… |
5 | |
|
1. |
Расчетная часть……………………………………………………… |
6 |
|
1.1 |
Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель…… |
6 |
|
1.2 |
Расчет распределения примеси вдоль слитка кремния после зонной плавки (один проход расплавленной зоной)……………………… |
10 |
|
1.2.1 |
Расчет распределения Si-Ga…………………………………………… |
10 |
|
1.2.2 |
Расчет распределения Si-P…………………………………………… . |
13 |
|
1.2.3 |
Расчет распределения Si-Sb……………………………………………. |
14 |
|
1.3 |
Распределение примесей после диффузии……………………………. |
18 |
|
1.3.1 |
Распределение примеси при диффузии из полубесконечного пространства (диффузия из концентрационного порога)……………… |
21 |
|
1.3.2 |
Распределение примеси при диффузии из постоянного источника в полубесконечное тело………………………………………………… |
22 |
|
1.3.3 |
Распределение примеси при диффузии из слоя конечной толщины (диффузия из ограниченного источника) в полубесконечное тело с отражающей границей…………………………………………………. |
24 |
|
1.3.4 |
Распределение примеси при диффузии из бесконечно тонкого слоя в полубесконечное тело с отражающей границей…………………… |
25 |
|
1.4 |
Расчет распределения примеси после диффузионного легирования. |
28 |
|
1.4.1 |
Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии 30мин……… |
28 |
|
1.4.2 |
Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины при Т=9500 С, и времени диффузии 30 мин………………. |
29 |
|
1.4.3 |
Распределение примеси после перераспределения примеси накопленной в приповерхностном слое полупроводника при Т=950ОС и времени диффузии 30мин. Условие перераспределения полностью отражающая граница. Т=1150ОС, время 2 часа………………………. |
30 |
|
Заключение…………………………………………………………… . |
32 | |
|
Литература…………………………………………………………… |
33 | |
УЭДЖВУД (Веджвуд) (Wedgwood) Джозайя (1730-95) , английский керамист. Изобрел высококачественные фаянсовые массы (кремовую, "базальтовую", "яшмовую"). В 1769 основал мануфактуру (изящные изделия с рельефами в античном духе).
ОБРАСТАНИЯ , поселения водных организмов (животных и растений) на скалах, камнях, подводных частях судов, буев, портовых и других гидротехнических сооружений, на подводных кабелях, а также внутри водозаборных труб. Обрастания составляют бактерии, водоросли, губки, гидроиды, морские желуди, мидии, мшанки, асцидии и др. Обрастание снижает скорость судов, разрушает подводные сооружения, снижает водоток в трубах и т. д. Борьба с обрастаниями ведется путем механической очистки и воздействия ядовитых веществ.
ОЗЕРОВ Николай Николаевич (р . 1922), российский спортивный комментатор радио и телевидения (1950-88), заслуженный мастер спорта (1947), народный артист России (1973), неоднократный чемпион СССР по теннису (в 1939-58). Сын Н. Н. Озерова. С 1992 художественный руководитель радиостудии "Николай Озеров". Государственная премия СССР (1982).