Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легированииСтраница 1
Реферат.
В курсовом проекте производится расчет распределения примеси вдоль слитка кремния зонной плавкой. Расчет производится для трех примесей (Ga,P и Sb) для трех скоростей (Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин). Кроме того расчет распределения Ga в кремнии после диффузионного отжига при различных условиях диффузии.
Курсовая работа содержит графики распределения примеси как при зонной плавке, так и при диффузии.
Содержание.
|
Введение………………………………………………………………… |
5 | |
|
1. |
Расчетная часть……………………………………………………… |
6 |
|
1.1 |
Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель…… |
6 |
|
1.2 |
Расчет распределения примеси вдоль слитка кремния после зонной плавки (один проход расплавленной зоной)……………………… |
10 |
|
1.2.1 |
Расчет распределения Si-Ga…………………………………………… |
10 |
|
1.2.2 |
Расчет распределения Si-P…………………………………………… . |
13 |
|
1.2.3 |
Расчет распределения Si-Sb……………………………………………. |
14 |
|
1.3 |
Распределение примесей после диффузии……………………………. |
18 |
|
1.3.1 |
Распределение примеси при диффузии из полубесконечного пространства (диффузия из концентрационного порога)……………… |
21 |
|
1.3.2 |
Распределение примеси при диффузии из постоянного источника в полубесконечное тело………………………………………………… |
22 |
|
1.3.3 |
Распределение примеси при диффузии из слоя конечной толщины (диффузия из ограниченного источника) в полубесконечное тело с отражающей границей…………………………………………………. |
24 |
|
1.3.4 |
Распределение примеси при диффузии из бесконечно тонкого слоя в полубесконечное тело с отражающей границей…………………… |
25 |
|
1.4 |
Расчет распределения примеси после диффузионного легирования. |
28 |
|
1.4.1 |
Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии 30мин……… |
28 |
|
1.4.2 |
Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины при Т=9500 С, и времени диффузии 30 мин………………. |
29 |
|
1.4.3 |
Распределение примеси после перераспределения примеси накопленной в приповерхностном слое полупроводника при Т=950ОС и времени диффузии 30мин. Условие перераспределения полностью отражающая граница. Т=1150ОС, время 2 часа………………………. |
30 |
|
Заключение…………………………………………………………… . |
32 | |
|
Литература…………………………………………………………… |
33 | |
СКЛАДНИЧЕСТВО , в Русском государстве форма объединения купцов для осуществления совместных торговых операций.
УГАНДИ (Ugandi) (Угания , Ugaunia), древнеэстонский мааконд (земля), на юго-востоке современной Эстонии, с гг. Тарту, Отепя и др. В 11 в. в составе Древнерусского государства. В 13 в. захвачен немецкими крестоносцами (Дерптское епископство), в 1561 - Польшей, в 1629 - Швецией. В России с 1710 - Дерптский (Тартумаа) и Верроский (Вырумаа) уезды Лифляндской губ.
ВОДОРОД (лат . Hydrogenium), Н, химический элемент VII группы периодической системы, атомный номер 1, атомная масса 1,00794. В природе встречаются два стабильных изотопа (протий и дейтерий) и один радиоактивный (тритий). Молекула двухатомна (Н2). Газ без цвета и запаха; плотность 0,0899 г/л, tкип = 252,76 °С. Соединяется с многими элементами, с кислородом образует воду. Самый распространенный элемент космоса; составляет (в виде плазмы) более 70% массы Солнца и звезд, основная часть газов межзвездной среды и туманностей. На Земле входит в состав воды, живых организмов, каменного угля, нефти. Применяют в производстве аммиака, соляной кислоты, для гидрогенизации жиров и др., при сварке и резке металлов. Входит в состав синтез-газа. Перспективен как горючее (см. Водородная энергетика).