Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Страница 1

Реферат.

В курсовом проекте производится расчет распределения примеси вдоль слитка кремния зонной плавкой. Расчет производится для трех примесей (Ga,P и Sb) для трех скоростей (Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин). Кроме того расчет распределения Ga в кремнии после диффузионного отжига при различных условиях диффузии.

Курсовая работа содержит графики распределения примеси как при зонной плавке, так и при диффузии.

Содержание.

 

Введение…………………………………………………………………

5

1.

Расчетная часть………………………………………………………

6

1.1

Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель……

6

1.2

Расчет распределения примеси вдоль слитка кремния после зонной плавки (один проход расплавленной зоной)………………………

10

1.2.1

Расчет распределения Si-Ga……………………………………………

10

1.2.2

Расчет распределения Si-P…………………………………………… .

13

1.2.3

Расчет распределения Si-Sb…………………………………………….

14

1.3

Распределение примесей после диффузии…………………………….

18

1.3.1

Распределение примеси при диффузии из полубесконечного пространства (диффузия из концентрационного порога)………………

21

1.3.2

Распределение примеси при диффузии из постоянного источника в полубесконечное тело…………………………………………………

22

1.3.3

Распределение примеси при диффузии из слоя конечной толщины (диффузия из ограниченного источника) в полубесконечное тело с отражающей границей………………………………………………….

24

1.3.4

Распределение примеси при диффузии из бесконечно тонкого слоя в полубесконечное тело с отражающей границей……………………

25

1.4

Расчет распределения примеси после диффузионного легирования.

28

1.4.1

Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии 30мин………

28

1.4.2

Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины при Т=9500 С, и времени диффузии 30 мин……………….

29

1.4.3

Распределение примеси после перераспределения примеси накопленной в приповерхностном слое полупроводника при Т=950ОС и времени диффузии 30мин. Условие перераспределения полностью отражающая граница. Т=1150ОС, время 2 часа……………………….

30

 

Заключение…………………………………………………………… .

32

 

Литература……………………………………………………………

33

     
Страницы: 1 2 3 4 5

НОВАЯ ЭКОНОМИЧЕСКАЯ ПОЛИТИКА (нэп) , принята весной 1921 10-м съездом РКП(б); сменила политику "военного коммунизма". Была рассчитана на восстановление народного хозяйства и последующий переход к социализму. Главное содержание: замена продразверстки продналогом в деревне; использование рынка, различных форм собственности. Привлекался иностранный капитал (концессии), проведена денежная реформа (1922-24), приведшая к превращению рубля в конвертируемую валюту. Быстро привела к восстановлению разрушенного войной народного хозяйства. С сер. 20-х гг. начались первые попытки свертывания нэпа. Ликвидировались синдикаты в промышленности, из которой административно вытеснялся частный капитал, создавалась жесткая централизованная система управления экономикой (хозяйственные наркоматы). И. В. Сталин и его окружение взяли курс на принудительное изъятие хлеба и насильственную "коллективизацию" деревни. Проводились репрессии против управленческих кадров (Шахтинское дело, процесс Промпартии и др.). К нач. 30-х гг. нэп фактически свернут.

ЗЕРКАЛО ГОРЕНИЯ , площадь колосниковой решетки, на которой сжигается топливо в слоевой топке.

ГАНДХАРВЫ , в индуистской мифологии небесные музыканты, ублажающие богов; возлюбленные апсар.