Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легированииСтраница 1
Реферат.
В курсовом проекте производится расчет распределения примеси вдоль слитка кремния зонной плавкой. Расчет производится для трех примесей (Ga,P и Sb) для трех скоростей (Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин). Кроме того расчет распределения Ga в кремнии после диффузионного отжига при различных условиях диффузии.
Курсовая работа содержит графики распределения примеси как при зонной плавке, так и при диффузии.
Содержание.
|
Введение………………………………………………………………… |
5 | |
|
1. |
Расчетная часть……………………………………………………… |
6 |
|
1.1 |
Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель…… |
6 |
|
1.2 |
Расчет распределения примеси вдоль слитка кремния после зонной плавки (один проход расплавленной зоной)……………………… |
10 |
|
1.2.1 |
Расчет распределения Si-Ga…………………………………………… |
10 |
|
1.2.2 |
Расчет распределения Si-P…………………………………………… . |
13 |
|
1.2.3 |
Расчет распределения Si-Sb……………………………………………. |
14 |
|
1.3 |
Распределение примесей после диффузии……………………………. |
18 |
|
1.3.1 |
Распределение примеси при диффузии из полубесконечного пространства (диффузия из концентрационного порога)……………… |
21 |
|
1.3.2 |
Распределение примеси при диффузии из постоянного источника в полубесконечное тело………………………………………………… |
22 |
|
1.3.3 |
Распределение примеси при диффузии из слоя конечной толщины (диффузия из ограниченного источника) в полубесконечное тело с отражающей границей…………………………………………………. |
24 |
|
1.3.4 |
Распределение примеси при диффузии из бесконечно тонкого слоя в полубесконечное тело с отражающей границей…………………… |
25 |
|
1.4 |
Расчет распределения примеси после диффузионного легирования. |
28 |
|
1.4.1 |
Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии 30мин……… |
28 |
|
1.4.2 |
Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины при Т=9500 С, и времени диффузии 30 мин………………. |
29 |
|
1.4.3 |
Распределение примеси после перераспределения примеси накопленной в приповерхностном слое полупроводника при Т=950ОС и времени диффузии 30мин. Условие перераспределения полностью отражающая граница. Т=1150ОС, время 2 часа………………………. |
30 |
|
Заключение…………………………………………………………… . |
32 | |
|
Литература…………………………………………………………… |
33 | |
ФУНЕВ Иван (1900-83) , болгарский скульптор. Правдивые произведения на темы из жизни рабочих (рельеф "В вагоне третьего класса", 1935).
ЧЕРВЯКОВ Александр Григорьевич (1892-1937) , политический деятель. С 1920 председатель ЦИК (до 1924 одновременно и СНК) Белорусской ССР. В обстановке массовых репрессий покончил жизнь самоубийством.
ОГ (Haug) Гюстав Эмиль (1861-1927) , французский геолог, иностранный член-корреспондент АН СССР (1925; иностранный член-корреспондент Петербургской АН с 1909). Основные труды по тектонике, стратиграфии, палеонтологии и региональной геологии Французских Альп. Доказывал, что трансгрессии в геосинклиналях сопровождаются регрессиями на платформах и наоборот. Автор учебника по геологии.