Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Страница 1

Реферат.

В курсовом проекте производится расчет распределения примеси вдоль слитка кремния зонной плавкой. Расчет производится для трех примесей (Ga,P и Sb) для трех скоростей (Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин). Кроме того расчет распределения Ga в кремнии после диффузионного отжига при различных условиях диффузии.

Курсовая работа содержит графики распределения примеси как при зонной плавке, так и при диффузии.

Содержание.

 

Введение…………………………………………………………………

5

1.

Расчетная часть………………………………………………………

6

1.1

Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель……

6

1.2

Расчет распределения примеси вдоль слитка кремния после зонной плавки (один проход расплавленной зоной)………………………

10

1.2.1

Расчет распределения Si-Ga……………………………………………

10

1.2.2

Расчет распределения Si-P…………………………………………… .

13

1.2.3

Расчет распределения Si-Sb…………………………………………….

14

1.3

Распределение примесей после диффузии…………………………….

18

1.3.1

Распределение примеси при диффузии из полубесконечного пространства (диффузия из концентрационного порога)………………

21

1.3.2

Распределение примеси при диффузии из постоянного источника в полубесконечное тело…………………………………………………

22

1.3.3

Распределение примеси при диффузии из слоя конечной толщины (диффузия из ограниченного источника) в полубесконечное тело с отражающей границей………………………………………………….

24

1.3.4

Распределение примеси при диффузии из бесконечно тонкого слоя в полубесконечное тело с отражающей границей……………………

25

1.4

Расчет распределения примеси после диффузионного легирования.

28

1.4.1

Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии 30мин………

28

1.4.2

Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины при Т=9500 С, и времени диффузии 30 мин……………….

29

1.4.3

Распределение примеси после перераспределения примеси накопленной в приповерхностном слое полупроводника при Т=950ОС и времени диффузии 30мин. Условие перераспределения полностью отражающая граница. Т=1150ОС, время 2 часа……………………….

30

 

Заключение…………………………………………………………… .

32

 

Литература……………………………………………………………

33

     
Страницы: 1 2 3 4 5

СКЛАДНИЧЕСТВО , в Русском государстве форма объединения купцов для осуществления совместных торговых операций.

УГАНДИ (Ugandi) (Угания , Ugaunia), древнеэстонский мааконд (земля), на юго-востоке современной Эстонии, с гг. Тарту, Отепя и др. В 11 в. в составе Древнерусского государства. В 13 в. захвачен немецкими крестоносцами (Дерптское епископство), в 1561 - Польшей, в 1629 - Швецией. В России с 1710 - Дерптский (Тартумаа) и Верроский (Вырумаа) уезды Лифляндской губ.

ВОДОРОД (лат . Hydrogenium), Н, химический элемент VII группы периодической системы, атомный номер 1, атомная масса 1,00794. В природе встречаются два стабильных изотопа (протий и дейтерий) и один радиоактивный (тритий). Молекула двухатомна (Н2). Газ без цвета и запаха; плотность 0,0899 г/л, tкип = 252,76 °С. Соединяется с многими элементами, с кислородом образует воду. Самый распространенный элемент космоса; составляет (в виде плазмы) более 70% массы Солнца и звезд, основная часть газов межзвездной среды и туманностей. На Земле входит в состав воды, живых организмов, каменного угля, нефти. Применяют в производстве аммиака, соляной кислоты, для гидрогенизации жиров и др., при сварке и резке металлов. Входит в состав синтез-газа. Перспективен как горючее (см. Водородная энергетика).