ChemStudy

-

поверхностная энергия на этих же разделах фаз.

Запас свободной энергии системы F2 после прилипания частиы к пузырьку, отнесенный к площади прилипания в 1 см2, определяется по следующей формуле:

Уменьшение свободной энергии системы имеет место при условии

На практике пользуются уравнением

где краевой угол смачивания

Изменение поверхностной энергии системы при элементарном акте флотации, отнесенное к единице площади контакта газ-твердое, называется показателем флотируемости. Видно, что чем больше, т.е. чем гидрофобнее материал, тем лучше идет флотация, так как больше убыль свободной энергии системы.

Таким образом флотация, как и всякий процесс обогащения основана на различиях между свойствами разделяемых минералов, в данном случае - на разнице в удельных поверхностных энергиях. Отсюда и вытекают некоторые особенности флотационного процесса.

4.Главные особенности флотационного процесса.

Первая особенность флотации заключается в том, что в отличие от других методов обогащения, не существует принципиальных ограничений ее использования для разделения любых минералов. Если гравитационными процессами нельзя разделять минералы с одинаковыми или близкими удельными весами, а магнитной сепарацией нельзя обогащать руды, в которых минералы имеют одинаковую или близкую магнитную восприимчивость, то флотация принципиально применима для обогащения любых полезных ископаемых.

Эта универсальность флотационного процесса объясняется двумя причинами:

1.Удельная поверхностная энергия минералов зависит как от их химического состава, так и от строения решетки минералов. Поскольку различные минералы обязательно отличаются один от другого или составом, или строением решетки, то они должны отличаться и по величине поверхностной энергии на границах раздела минерал - газ и минерал - жидкость.

2.Если различие в удельных поверхностных энергиях недостаточно для хорошего разделения минералов, то его можно увеличить нанесением на поверхность минералов тончайших покрытий с помощью реагентов. Например покрытие поверхности сульфидных частиц пленкой ксантогената плотностью 15-30% от сплошного мономолекулярного слоя резко меняет их поверхностную энергию.

ФЛЕРОВСКИЙ Н ., см. Берви-Флеровский В. В.

ИНВАЙРОНМЕНТ (энвайронмент) (англ . environment, букв. - среда, окружение), вид искусства, занимающий промежуточное положение между скульптурой и архитектурой малых форм. Его пластические образы, рассчитаны на театрализованное соучастие зрителей. Иногда даже (как во многих хэппенингах) активно видоизменяющих их конструкцию; могут быть представлены публике в виде особых сценических пространств с фигурами типа манекенов (напр., в работах Э. Кинхольца). Искусство инвайронмента окончательно обособилось в раннем авангарде (см. К. Швиттерс), получив широкое распространение во второй половине 20 в.

ОМ , единица электрического сопротивления СИ; сопротивление проводника, между концами которого при силе тока 1А возникает напряжение 1В. Обозначается Ом, назван по имени Г. С. Ома. 1 Ом = 1,11·10-12 ед. СГСЭ (электростатическая система СГС) = 109 ед. СГСМ (электромагнитная система СГС) (см. СГС система единиц).