ChemStudy

Na

3s

В зоне столько уровней, сколько атомов объединилось в кристалле, на каждом уровне максимум 2 электрона. 100 атомов – 100 уровней, на которых может быть 200 электронов, а есть только 100 электронов, следовательно, для Na и других его аналогов, у которых содержится 1 электрон на валентном уровне, валентная зона на половину заполнена, а следовательно, внутри валентной зоны электрон может менять энергию, а значит участвовать в проводимости. Значит валентная зона одновременно является зоной проводимости и ширина запрещённой зоны для таких металлов = 0.

Mg

Содержит 100 атомов, следовательно, 100 уровней, может быть 200 электронов, есть 200, следовательно, 3s зона (ВЗ) полностью заполнена, 3p – зона проводимости ЗП получается из 3p подуровней. В случае с Mg ЗП накладывается на ВЗ, и поэтому электрону не требуется большой энергии для перехода в эту зону (ΔE = 0);

Al

ВЗ полностью заполнена и ΔE = 0.

1.4 Электропроводность и теплопроводность металлов

σ – электропроводность

σ = enu [Ом-1 см-1] 106 – 104

Электроны в металле благодаря ничтожной массе и размерам обладают значительной подвижностью. Обозначим эту подвижность через u [см2/(В с)]. Поэтому если к металлу приложить некоторую разность потенциалов, электроны начнут перемещаться от отрицательного полюса к положительному, тем самым создавая электрический ток. Удельная проводимость σ зависит от заряда электрона и концентрации носителей, которая у большинства металлов практически одинакова.

ρ = 1/ σ = RS/l; [Ом м]

ρ = h/(ke2n2/3)

где:

lср – длина свободного пробега электрона

k – постоянная Больцмана

n – концентрация

h – постоянная Планка

lср зависит от структуры металла. При одной и той же структуре она зависит от радиуса атомов

Чистые металлы, имеющие совершенную кристаллическую решетку, обладают наименьшим значением ρ. Дефекты кристаллической решетки увеличивают сопротивление вызывая рассеяние электронов.

ρ = ρчист+ρпримесей

При повышении температуры сопротивление увеличивается и причиной этого является интенсификация колебаний кристаллической решетки. Теплопроводность изменяется параллельно электропроводности.

1.5 Влияние различных факторов на удельную электропроводность.

РОБЕРТС (Roberts) Ричард Дж . (р. 1943), американский молекулярный биолог. Родился в Великобритании, с 1969 в США. Открыл (одновременно и независимо от Ф. Шарпа) прерывистую (экзон-интронную) структуру гена. Нобелевская премия (1993, совместно с Шарпом).

ЭККЕРТ (Eckert) Джон Преспер (1919-95) , американский математик и инженер-изобретатель. Ему принадлежит сделанное в нач. 1950-х гг. изобретение электронно-вычислительного калькулятора, у которого не было запоминающего устройства, но который мог хранить ограниченное количество информации, а также выполнять некоторые математические действия.

ЮРАЙ ДАЛМАТИНЕЦ (Juraj Dalmatinac) Джорджо да Себенико (Giorgio dа Sebenico) (1410-е гг . - 1473), далматинский архитектор и скульптор Раннего Возрождения. Главная работа - строительство (1444-73) и скульптурный декор собора в Шибенике.