Фуллерены
Фуллерены
Страница 15

Исключительны перспективы получения эндоэдральных соединений: внутри молекул фуллеренов достаточно места, чтобы разместить там атом, ион или небольшую молекулу. Поэтому столь большое внимание привлекают реакции, в ходе которых сфера раскрывается, например, реакции гиперфторирования.

В будущем совершенно неожиданными могут оказаться открытия, связанные с высшими фуллеренами (Cn>84), так как в настоящее время эти вещества практически недоступны в заметных количествах. Если вспомнить, что для фуллерена-60 число изомеров вида C60XY исчисляется десятками, для высших фуллеренов их будет значительно больше.

В заключение перечислим некоторые возможные области применения фуллеренов и их производных в ближайшем будущем:

· электронные и оптические устройства, основанные на применении фуллеренов или полимерных материалов на их основе,

· фотоматериалы и материалы для преобразования электрической энергии в световую,

· катализаторы,

· лекарственные средства

Некоторые области применения пока остаются гипотетическими, ввиду недостаточности современного уровня знаний:

· получение алмазов (в том числе тонких пленок),

· источники тока,

· молекулярные сита и устройства для аккумулирования газов,

· материалы для нелинейной оптики (лазеры),

· преобразователи солнечной энергии,

· сверхпроводники.

Не стоит сомневаться в том, что будущее химии фуллеренов окажется значительно интереснее любых прогнозов о нем.

Страницы: 11 12 13 14 15 

СИНГИДУНУМ (лат . Singidunum), древнее кельтское поселение, затем римская крепость на месте современного Белграда.

ЦВЕТАЕВА Анастасия Ивановна (1894-1993) , русская писательница. Дочь И. В. Цветаева, сестра М. И. Цветаевой. Мемуары (в т. ч. книга "Воспоминания", 1971) воссоздают культурную атмосферу нач. 20 в. Пафос приятия жизни в автобиографической повести ("Моя Сибирь", 1988, о быте репрессированных), рассказах. Книги лирической прозы: "Королевские размышления, 1914 год" (1915), "Дым, дым, и дым" (1916).

ШОТТКИ ДИОД , полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании свойств контакта металл - полупроводник; названного по имени немецкого физика В. Шоттки (W. Schottky; 1886-1976), создавшего в 1938-39 основы теории таких диодов. Применяется для преобразования электрических сигналов на частотах до 50 ГГц и как сверхбыстродействующий переключатель.