ChemStudy

У изоляторов зона проводимости отделена от валентной зоны большим энергетическим барьером (>4эВ). Валентные электроны не могут попасть в зону проводимости даже при передаче им значительного кол-ва энергии, т.к. электроны не могут свободно перемещаться по всему объёму кристалла, проводимость в кристалле отсутствует.

Ширина запрещённой зоны проводников невелика – от 0.1 до 4эВ. При низких температурах они проявляют свойства изоляторов. С повышением температуры энергия валентных электронов возрастает и становится достаточной для преодоления запрещённой зоны. Происходит перенос электрических зарядов, полупроводник становится проводником.

1.3. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Дефекты реальных кристаллов.

К типичным собственным полупроводникам относятся В, Si, Ge, Te, Sn(серое) и др. на каждом энергетическом уровне валентной зоны у них находится по 2 электрона (см. рис.2)

Рис2. Собственная проводимость

После получения кванта энергии связь между этой парой электронов нарушается и один электрон покидает валентную зону, переходя зону проводимости. В валентной зоне на его месте остаётся вакансия (+)-дырка. При наложении внешнего электрического поля электроны, перешедшие в зону проводимости, перемещаются к А(+), в валентной зоне электрон, находящийся рядом с дыркой (+), занимает её место, появляется новая дырка и т.д. Таким образом, дрейф электрона к А(+) эквивалентен дрейфу дырки к К(-).

Электропроводность, обусловленная одновременным участием в проводимости е и р, называется собственной или электронно-дырочной проводимостью (n – p) типа. Для каждого полупроводника собственная проводимость наступит при разных величинах температур, которые тем выше, чем больше величина запрещённой зоны полупроводника. В настоящее время известно 13 кристаллических модификаций простых веществ обладающих полупроводниковыми свойствами. Они находятся в главных подгруппах 3 – 7 групп Периодической системы элементов Д.И. Менделеева.

3-я группа – В; 6-я группа – S, Se, Te;

4-я группа – S, Si, Ge, Sn; 7-я группа – I.

5-я группа – P, As, Sb, Bi;

В кристаллах простых веществ этих элементов ковалентный или близкий к нему характер химической связи. Ширина запрещённой зоны зависит от прочности ковалентной связи и структурных особенностей кристаллических решёток полупроводника.

ЮФИТ Евгений Георгиевич (р . 1961), российский художник, сценарист, режиссер. Лидер т. н. "параллельного кино". Поставил фильмы: "Рыцари поднебесья" (1988), "Папа, умер дед Мороз" (1991), "Деревянная комната" (1995) и др.

ПЛИЕВ Исса Александрович (1903-79) , генерал армии (1962), дважды Герой Советского Союза (1944, 1945). В Великую Отечественную войну командир гвардейской кавалерийской дивизии и корпуса, с 1944 командовал конно-механизированными группами. В 1958-68 командующий войсками Северо-Кавказского военного округа.

ЩУСЕВ Алексей Викторович (1873-1949) , российский архитектор, академик АН СССР (1943). Обращался к традициям русского средневекового зодчества (Казанский вокзал, 1914-26, 1941), к классическому наследию. По проекту Щусева построены Мавзолей В. И. Ленина (1924-30), гостиница "Москва" (1932-38, с соавторами). Участвовал в разработке плана реконструкции Москвы (1918-25). Государственная премия СССР (1941, 1946, 1948, 1952, посмертно).